[实用新型]一种具有碳化硅涂层的硅片外延基座

说明书

本实用新型公开了一种具有碳化硅涂层的硅片外延基座，包括基座本体、口袋和应力槽，其中，所述应力槽设置于基座本体上。本实用新型的基座工作时，由应力槽释放应力，避免应力集中，能有效降低基座开裂，有效地防止了基座开裂导致石墨中的碳和其它杂质对硅片造成污染，进而能够生产出高纯净度、高质量的硅外延片，并有效延长基座的使用周期。

技术领域

本实用新型属于半导体加工技术领域，具体涉及一种硅片外延基座。

背景技术

气相沉积CVD的基本原理涉及反应化学、热力学、动力学、转移机理、膜生长现象和反应工程。主要以金属蒸气、挥发性金属卤化物、氢化物或金属有机化合物等蒸气为原料，进行气相热分解反应，以及两种以上单质或化合物的反应，再凝聚生成各种形态的材料。化学气相沉积工艺中，沉积薄膜的均匀性极为重要，薄膜的均匀性主要受到炉内气体分布的影响。化学气相沉积过程是一个极为复杂的化学过程，气体是否均匀分布会对工艺的沉积速率、膜层的致密性、薄膜均匀性等产生较大影响。通常来说化学气相沉积受气体流场等工艺因素影响均匀性难以保证，为了提高涂层均匀性一般采用石墨盘旋转工艺，可以达到稳定生产的目的。

现有技术中的普通外延基座，如图1所示，包括基座本体101、口袋102，工作过程中由于基座应力集中，容易引起基座中心开裂，导致石墨中的碳和其它杂质对硅片造成污染。

[术语解释]

CVD：化学气相沉积是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。

Pocekt：口袋，本实用新型中指基座上的圆形凹坑，一个凹坑为一个pocket。

实用新型内容

本实用新型为了解决现有技术中的问题，提出了一种具有碳化硅涂层的硅片外延基座，采用应力槽，旨在解决由于应力释放导致工作过程中基座开裂，导致石墨中的碳和其它杂质对硅片造成污染，进而能够生产出高纯净度、高质量的硅外延片，并有效延长基座的使用周期。

为了达到上述目的，本实用新型的实施例提供了一种具有碳化硅涂层的硅片外延基座，包括：基座本体、口袋和应力槽，其中，所述应力槽设置与基座本体上。

进一步地，所述应力槽以基座中心为圆心设置于所述基座本体上。

进一步地，所述应力槽的数量为1-20条，且均匀分布。

进一步地，所述若干个口袋以圆周均布的方式设置于所述基座本体上。

进一步地，所述若干条应力槽以基座中心为圆心均匀设置于所述基座本体上。

进一步地，所述应力槽的深度尺寸为0.01-25mm，槽宽尺寸为0.01-20mm。

本实用新型的有益效果是：本实用新型的具有碳化硅涂层的硅片外延基座工作时，由应力槽释放应力，避免应力集中，能有效降低基座开裂，有效地防止了基座开裂导致石墨中的碳和其它杂质对硅片造成污染，进而能够生产出高纯净度、高质量的硅外延片，并有效延长基座的使用周期。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为现有技术中的硅片外延基座的结构示意图；

图2为本实用新型的碳化硅的硅片外延基座的结构示意图。

具体实施方式