[实用新型]一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构及带有该接触结构的太阳能电池

权利要求书

1.一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构，所述太阳能电池包括：硅衬底、电介质层及电极，所述电介质层的一面与所述硅衬底相接触；其特征在于，所述电介质层的另一面上设置所述接触结构，所述接触结构包括：多晶硅层和掺杂层；所述掺杂层与多晶硅层相互交替设置在所述电介质层上；所述掺杂层的厚度大于所述多晶硅层的厚度；所述掺杂层一端与所述电介质层相接触，另一端与所述电极相接触；其中，所述掺杂层一端为轻杂端，另一端为重杂端；所述掺杂层在所述电介质层上的投影总面积占所述电介质层的底表面积的2.6％～98％。

2.如权利要求1所述的接触结构，其特征在于，所述电介质层的厚度为1-2纳米。

3.如权利要求2所述的接触结构，其特征在于，所述电介质层的厚度为1-1.4纳米。

4.一种太阳能电池，包括：硅衬底、发射极层、钝化膜、顶面电极、电介质层、接触结构及底面电极；其中，所述硅衬底的顶面设置有发射极层，所述发射极层的顶面设置有钝化膜，所述顶面电极设置在所述钝化膜上并与所述发射极层相连接；所述电介质层的一面与所述硅衬底的底面相接处，所述电介质层的另一面与所述底面电极之间设置有所述接触结构，其特征在于，所述接触结构为权利要求1-3任一权利要求所述的接触结构。

5.一种太阳能电池，包括硅衬底、钝化层、电介质层、接触结构以及电极；所述硅衬底的顶面设置有钝化层，所述硅衬底的底面设置有电介质层；所述电介质层的一面与所述硅衬底相接触，其另一面与所述电极之间设置有所述接触结构，其特征在于，所述接触结构为权利要求1-3任一权利要求所述的接触结构。

6.如权利要求5所述的太阳能电池，其特征在于，所述接触结构包括相互交替设置的掺杂层和多晶硅层；位于所述多晶硅层两端的所述掺杂层的掺杂极性相异。