[实用新型]一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构及带有该接触结构的太阳能电池

说明书

本实用新型涉及一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构及带有该接触结构的太阳能电池，隧穿型太阳能电池包括：硅衬底、电介质层及电极，电介质层的一面与硅衬底相接触；所述电介质层的另一面上设置所述接触结构，所述接触结构包括：多晶硅层和掺杂层；所述掺杂层与多晶硅层相互交替设置在所述电介质层上；所述掺杂层的厚度大于所述多晶硅层的厚度；所述掺杂层一端与所述电介质层相接触，另一端与所述电极相接触；其中，所述掺杂层与所述电介质层相接处的一端的掺杂浓度小于所述掺杂层与所述电极相接触的另一端的掺杂浓度。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池领域，特别是一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构及带有该接触结构的太阳能电池。

背景技术

随着化石燃料的枯竭及其燃烧后产生的污染，人们一直在寻找一种能替代化石燃料的可再生能源。在这些再生能源中，太阳能电池尤其得到关注。其中，硅片式的太阳能电池为当下的主流技术。硅作为半导体，其中含有多个电子- 空穴对。当光射入太阳能电池上时，通过光伏效应会将硅中的电子-空穴对进行分离。分离出的电子会移动到n型区域，而分离出的空穴会移动到p型区域。金属电极分别与n型区域和p型区域进行电连接，进而收集分离出的电子和空穴，获得电能。

然而，太阳能电池主要的问题在于其光电转化率不高，也使得其发电效率不高。其中一部分原因是因为在金属电极与n型区域和p型区域接触的硅片表面，金属中离子会和硅中的电子进行复合。以至于接触电阻较高，限制了太阳能电池的发电效率。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的不足，提供一种发电效率更高的太阳能电池。

一种应用于隧穿型太阳能电池上的接触结构，所述太阳能电池包括：硅衬底、电介质层及电极，所述电介质层的一面与所述硅衬底相接触；其特征在于，所述电介质层的另一面上设置所述接触结构，所述接触结构包括：多晶硅层和掺杂层；所述掺杂层与多晶硅层相互交替设置在所述电介质层上；所述掺杂层的厚度大于所述多晶硅层的厚度；所述掺杂层一端与所述电介质层相接触，另一端与所述电极相接触；其中，所述掺杂层一端为轻杂端，另一端为重杂端，即所述掺杂层与所述电介质层相接处的一端的掺杂浓度小于所述掺杂层与所述电极相接触的另一端的掺杂浓度；所述掺杂层在所述电介质层上的投影总面积占所述电介质层的底表面积的2.6％～98％。

本实用新型中的接触结构还具有以下附属特征：

所述掺杂层与电极相接触的接触端的掺杂浓度为与电介质层接触端的掺杂浓度的1.1-50倍。

所述电介质层包括：氧化硅、氧化铝、氧化铬或其组合。

所述电介质层的厚度为1-2纳米，优选厚度为1-1.4纳米。

一种太阳能电池，包括：硅衬底、发射极层、钝化膜、顶面电极、电介质层、接触结构及底面电极；其中，所述硅衬底的顶面设置有发射极层，所述发射极层的顶面设置有钝化膜，所述顶面电极设置在所述钝化膜上并与所述发射极层相连接；所述电介质层的一面与所述硅衬底的底面相接处，所述电介质层的另一面与所述底面电极之间设置有所述接触结构。

一种太阳能电池，包括硅衬底、钝化层、电介质层、接触结构以及电极；所述硅衬底的顶面设置有钝化层，所述硅衬底的底面设置有电介质层；所述电介质层的一面与所述硅衬底相接触，其另一面与所述电极之间设置有所述接触结构。

所述接触结构包括相互交替设置的掺杂层和多晶硅层；位于所述多晶硅层两端的所述掺杂层的掺杂极性相异。