[实用新型]一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片有效
| 申请号： | 202120960860.5 | 申请日： | 2021-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN214588369U | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 马春博;王湘粤;张华;曾志超 | 申请（专利权）人： | 深圳市驭能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01F27/24 | 分类号： | H01F27/24;H01F27/30;H01F27/28;H01F27/34;H01F27/36;H01F38/14;H02J50/00;H02J50/10;H02J50/70 |
| 代理公司： | 广州市科丰知识产权代理事务所(普通合伙) 44467 | 代理人： | 罗啸秋 |
| 地址： | 518122 广东省深圳市坪山区龙田街道办*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 专用 线线 纳米 磁片 | ||
1.一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片，其特征在于：包括第一结构层及固定于第一结构层正面的绕线线圈，所述第一结构层上设有容纳绕线线圈内端引线的开槽，绕线线圈内端引线通过该开槽引出；所述第一结构层背面覆有第二结构层，第二结构层完全覆盖第一结构层上的开槽。
2.根据权利要求1所述的一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片，其特征在于：所述第一结构层和第二结构层为单层纳米晶导磁片或多层纳米晶导磁片的叠加。
3.根据权利要求1所述的一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片，其特征在于：所述绕线线圈为单层设置或多层设置或多个并排设置。
4.根据权利要求1所述的一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片，其特征在于：所述绕线线圈的形状为圆形、矩形、三角形或其他规则图形。
5.根据权利要求1所述的一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片，其特征在于：所述第一结构层的厚度为0.02～1mm，第二结构层的厚度为0.02～1mm。
6.根据权利要求1所述的一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片，其特征在于：所述绕线线圈的单层厚度为0.05～1mm。
7.根据权利要求1所述的一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片，其特征在于：所述第一结构层和第二结构层的形状为规则形状或不规则的异型。
8.根据权利要求1所述的一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片，其特征在于：所述第一结构层和第二结构层的形状及大小完全相同。
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