[实用新型]一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片

说明书

本实用新型属于无线充电器件领域，公开了一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片。所述专用于绕线线圈的纳米晶导磁片包括第一结构层及固定于第一结构层正面的绕线线圈，所述第一结构层上设有容纳绕线线圈内端引线的开槽，绕线线圈内端引线通过该开槽引出；所述第一结构层背面覆有第二结构层，第二结构层完全覆盖第一结构层上的开槽。本实用新型的线圈组件可以实现与线圈的紧密结合，整体模组的性能更优异，空间更合理。且可屏蔽线圈产生的磁场对其他器件产生的干扰。

技术领域

本实用新型涉及无线充电器件领域，具体为一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片。

背景技术

随着科技的发展与社会的进步，无线充电技术应用越来越普遍，其中电磁感应式无线充电技术最为常用。

电磁感应式无线充电技术通常是在发射侧和接收侧均设置无线充电线圈组件，以此实现无线充电。无线充电线圈组件通常由绕线线圈和纳米晶导磁片构成，纳米晶导磁片贴覆在线圈引线侧，发送和接收端各安置一个线圈，发送端线圈在电力的作用下向外界发出电磁信号，接收端线圈收到电磁信号并且将电磁信号转变为电流，从而达到无线充电的目的。其存在的问题是绕线线圈两端需要引出以连接其他器件，因此引出线与绕线线圈会有绕线叠加的地方，该“叠加区”使得线圈不能和其他部件紧密的结合(如图1所示)，从而降低整体模组的性能。

现有的无线充电线圈组件的出线方式包括线圈上方出线和线圈下方出线。线圈上方出线的方式需要对外壳进行特殊加工，提高了加工难度，且加大了外壳厚度；线圈下方出线的方式需要在线圈下方的纳米晶导磁片上预留以供出线的开槽(如图2所示)，该方式带来的缺点是线圈工作所产生的磁场会穿过开槽处，对其他组件产生干扰，并导致涡流损耗。

专利CN211151626U公开了一种无线充电线圈组件。该无线充电线圈组件采用厚度小于线圈的导电体作为线圈的出线，减小了在外壳和铁氧体上预留的出线空间。但该方式只是在一定程度上减少了线圈与外壳和铁氧体之间的结合间隙，对整体模组的性能仍存在一定影响。

实用新型内容

针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本实用新型的目的在于提供一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种专用于绕线线圈的纳米晶导磁片，包括第一结构层及固定于第一结构层正面的绕线线圈，所述第一结构层上设有容纳绕线线圈内端引线的开槽，绕线线圈内端引线通过该开槽引出；所述第一结构层背面覆有第二结构层，第二结构层完全覆盖第一结构层上的开槽。

第一结构层可满足导磁片基本性能要求；第二结构层可以有效降低无线充电过程中的能量损耗，减小发热以及对周围环境的电磁干扰，通过和第一结构层的匹配，提升磁片整体性能，可制作出多性能参数磁片，即满足无线充电又满足NFC性能要求的多功能磁片。两个结构层可以为相同成分及性能的纳米晶导磁片也可以做成不同成分及性能的纳米晶导磁片。

进一步地，所述第一结构层和第二结构层为单层纳米晶导磁片或多层纳米晶导磁片的叠加。

进一步地，所述绕线线圈为单层设置或多层设置或多个并排设置。

进一步地，所述绕线线圈的形状为圆形、矩形、三角形或其他规则图形。

进一步地，所述第一结构层的厚度为0.02～1mm，第二结构层的厚度为0.02～1mm。

进一步地，所述绕线线圈的单层厚度为0.05～1mm。

进一步地，所述第一结构层和第二结构层的形状可做成规则形状也可做成异型。

进一步地，所述第一结构层和第二结构层的形状及大小完全相同。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：