[实用新型]一种反应磁控多弧线圈靶装置

说明书

本实用新型属于真空镀膜技术领域，具体公开一种反应磁控多弧线圈靶装置，包括圆形多弧靶材、用于安装圆形多弧靶材的金属制靶材座，所述金属制靶材座通过安装法兰安装在真空镀膜室的内部，所述安装法兰内嵌有磁性线圈，所述安装法兰上对应与靶材的前端设有阳极罩，所述安装法兰上还安装有引弧装置，所述金属制靶材座的背面设有转动的永磁铁装置。该反应磁控多弧线圈靶装置具有较高溅射磁场的稳定性和均匀性，确保靶材溅射的均匀性，且镀膜产品的镀膜效果的一致性，极大的提升了反应磁控多弧镀膜工艺的镀膜效率，镀膜膜层更为致密，表面粗糙度更低，并且膜层与基材之间的附着力更高，有效的提高了镀膜产品的质量，能适用于不同的镀膜基材产品。

技术领域

本实用新型涉及真空镀膜技术领域，具体涉及一种反应磁控多弧线圈靶装置，特别是是可应用于硬膜制备的反应磁控多弧线圈靶装置。

背景技术

在真空镀膜技术领域，反应磁控多弧线圈靶与传统反应磁控镀膜工艺相比，反应磁控多弧线圈靶的溅射速率更高，所制备薄膜所呈现的色域范围也大于反应磁控溅射镀膜工艺，膜层的表面致密性和表面粗糙度也有所改善，特别适合于不同基材，例如塑料、金属和玻璃表面光学薄膜和硬膜的制备。

现在镀膜设备中采用的多弧线圈靶结构，通常靶材和磁场是作为整体接头安装于真空室内，通过基片的自转加公转以提高镀膜时膜厚的均匀性。但是靶材和磁场作为整体的固定结构设计使得磁场静止不动，对靶材的反应溅射区域相对固定，而长时间局部区域溅射容易造成靶材磁场环形区域溅射深度过深，从而造成靶材的使用率不高而造成浪费。此外，磁场静止状态下高功率的溅射所产生的高热量，也易造成高温下永磁铁退磁，磁场强度降低，影响反应磁控多弧镀膜的效率，镀膜生产工艺不稳定，产品品质不能保证。

在实际生产过程中，也有人从多弧线圈靶的结构设计上进行优化改善，以期解决传统多弧线圈靶镀膜过程中的不足。其中专利号：202020783003.8名称为：一种适用于连续镀膜生产的长寿命多弧靶的实用新型专利)其公开了旋转式电弧靶材装置，环形弧靶材设于靶材旋转驱动机构的输出端，将靶材设计成圆环形状，并进行旋转。这种结构能够通过靶材旋转提高靶材的利用率和长时间使用寿命，但是该结构设计复杂，需要涉及真空条件下的旋转及密封，同时，圆环形靶材结构也不利于长时间镀膜使用，对于多弧靶的镀膜发散角度也没有提出合理的解决方案，该旋转式电弧靶材装置也具有一定的局限性，不利于反应磁控多弧线圈靶的工业化推广应用。

因此，研发一种能增加靶材的溅射发散角度，扩大有效镀膜面积，改善镀膜基材轴向镀膜厚度的均匀性和保证镀膜产品的镀膜效果的一致性的反应磁控多弧线圈靶迫在眉睫。

实用新型内容

为了克服上述技术的不足，本实用新型公开一种反应磁控多弧线圈靶装置，该反应磁控多弧线圈靶装置具有较高溅射磁场的稳定性和均匀性，确保靶材溅射的均匀性，且镀膜产品的镀膜效果的一致性，极大的提升了反应磁控多弧镀膜工艺的镀膜效率，镀膜膜层更为致密，表面粗糙度更低，并且膜层与基材之间的附着力更高，有效的提高了镀膜产品的质量，能适用于不同的镀膜基材产品。

为了达到上述技术目的，本实用新型是按以下技术方案实现的：

本实用新型所述的一种反应磁控多弧线圈靶装置，包括圆形多弧靶材、用于安装圆形多弧靶材的金属制靶材座，所述金属制靶材座通过安装法兰安装在真空镀膜室的内部，所述安装法兰内嵌有磁性线圈，所述安装法兰上对应与靶材的前端设有阳极罩，所述安装法兰上还安装有引弧装置，所述金属制靶材座的背面设有转动的永磁铁装置。

作为上述技术的进一步改进，所述安装法兰内还嵌有能通入循环冷却水的水冷却管结构。

作为上述技术的更进一步改进，所述磁性线圈相距靶材的轴中心距离大于水冷却管结构相距靶材的轴中心距离。

作为上述技术的更进一步改进，所述靶材的外端面与安装法兰内端面的距离范围值是是5mm-20mm。