[实用新型]一种高效散热的VCSEL封装结构有效
申请号: | 202121021304.8 | 申请日: | 2021-05-13 |
公开(公告)号: | CN214957802U | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 杨瑞源 | 申请(专利权)人: | 扬州台科电子有限公司 |
主分类号: | H01S5/024 | 分类号: | H01S5/024;H01S5/02208 |
代理公司: | 扬州润中专利代理事务所(普通合伙) 32315 | 代理人: | 张琳 |
地址: | 225600 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高效 散热 vcsel 封装 结构 | ||
本实用新型涉及VCSEL封装技术领域,且公开了一种高效散热的VCSEL封装结构,包括底板,所述底板的下端开设有凹槽,所述空腔的内部设置有活动杆,所述活动杆的外侧位于空腔的内部设置有弹簧。该高效散热的VCSEL封装结构,将VCSEL封装结构的底板和金属框架之间采用一体式的结构设计,保证了封装结构底部的密封性,同时通过氮化铝陶瓷板将VCSEL本体的热量传递给导热块,再通过金属散热块将热量排出,大大提高了VCSEL封装结构的散热效果,将VCSEL封装结构的上端增加可以进行拼接的封板,通过密封圈将封板和金属框架进行连接,保证整体结构的密封性,同时通过弹簧、活动杆和卡块之间的配合连接,使得封板可以实现快速拆卸,大大提高了实用性。
技术领域
本实用新型涉及VCSEL封装技术领域,具体为一种高效散热的VCSEL封装结构。
背景技术
垂直腔面发射激光器(简称VCSEL,又译垂直共振腔面射型激光)是一种半导体,其激光垂直于顶面射出,与一般用切开的独立芯片制程,激光由边缘射出的边射型激光有所不同,在制作的过程中,VCSEL比边射型激光多了许多优点,边射型激光需要在制作完成后才可进行测试,若一个边射型激光无法运作,不论是因为接触不良或者是物质成长的品质不好,都会浪费制作过程与物质加工的处理时间,然而VCSEL可以在制造的任何过程中,测试其品质并且作问题处理,因为VCSEL的激光是垂直于反应区射出,与边射型激光平行于反应区射出相反,所以可以同时有数万个VCSEL在一个三英寸大的砷镓芯片上被处理,此外,既使VCSEL在制造的过程需要较多的劳动与较精细的材料,生产结果是可被控制的及更多可被预期的。
然而,现有的VCSEL封装结构在使用时,大多数都是采用一体式的封装结构,但在需要对封装装置内部的VCSEL进行调试和更换时,不方便进行操作,同时现有的VCSEL封装结构没有很好的散热结构,使得VCSEL运行时产生的热量无法散出,降低了VCSEL的使用寿命,大大降低了实用性。
实用新型内容
(一)解决的技术问题
针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种高效散热的VCSEL封装结构,以解决上述背景技术中提出现有的VCSEL封装结构在使用时,大多数都是采用一体式的封装结构,但在需要对封装装置内部的VCSEL进行调试和更换时,不方便进行操作,同时现有的VCSEL封装结构没有很好的散热结构,使得VCSEL运行时产生的热量无法散出,降低了VCSEL的使用寿命,大大降低了实用性的问题。
(二)技术方案
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种高效散热的VCSEL封装结构,包括底板,所述底板的下端开设有凹槽,所述凹槽的内部设置有金属散热块,所述底板的上端固定连接有金属框架,所述底板的上端位于金属框架之间固定连接有氮化铝陶瓷板,所述氮化铝陶瓷板的下端固定连接有导热块,所述底板的上端位于氮化铝陶瓷板的左端设置有负极铜片,所述氮化铝陶瓷板的上端设置有VCSEL本体,所述VCSEL本体的上端设置有正极铜片,所述负极铜片和正极铜片之间设置有金导线,所述金属框架的上端设置有封板,所述封板的内部开设有放置槽,所述放置槽的内部设置有透光镜,所述封板的下端固定连接有密封圈,所述封板的下端位于密封圈的外侧固定连接有卡块,所述金属框架的内部开设有空腔,所述空腔的内部设置有活动杆,所述活动杆的外侧位于空腔的内部设置有弹簧。
优选的,所述底板的长宽与金属框架的长宽相同,所述底板和金属框架采用一体式结构设计,保证结构底部的密封效果。
优选的,所述导热块呈等间距分布,所述导热块的上端与氮化铝陶瓷板相互连接,所述导热块的下端与金属散热块相互连接,提高散热效果。
优选的,所述封板的长宽与金属框架的长宽相同,所述密封圈的长宽与金属框架内部的长宽相同,保证整体结构美观平整。
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