[实用新型]散热模块及动态随机存取内存装置有效

专利信息
申请号: 202121025663.0 申请日: 2021-05-13
公开(公告)号: CN215220265U 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 谢杰志 申请(专利权)人: 金邦半导体科技(深圳)有限公司
主分类号: G11B33/14 分类号: G11B33/14;G11C11/406
代理公司: 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 代理人: 刘曾
地址: 518109 广东省深圳市龙华*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 散热 模块 动态 随机存取 内存 装置
【说明书】:

实用新型公开一种散热模块及动态随机存取内存装置。散热模块包含本体、风扇及电连接组件。本体固定设置于包含动态随机存取内存的内存组件的基板。本体包含贯穿设置的容置穿孔、多个导流穿孔及多个排风穿孔。风扇固定设置于本体,风扇用以使基板外的空气通过容置穿孔及导流穿孔进入基板,通过容置穿孔及导流穿孔进入基板的空气则能通过排风穿孔向外排出。电连接组件用以外部供电模块供电给风扇。通过风扇、容置穿孔、导流穿孔及排风穿孔的设计,可以让动态随机存取内存运作时产生的热能更快向外排出。

技术领域

本实用新型涉及一种散热模块及内存装置,特别是一种用以安装于包含有多个动态随机存取内存的内存组件的散热模块及动态随机存取内存装置。

背景技术

目前DDR2、DDR3、DDR4内存模块的散热方式,都是将具有高导热系数的金属构件,贴附于内存模块的表面,而内存模块运作时所产生的热能,则将通过金属构件向外传递,从而达到散热的效果。

DDR5是下一代的内存模块,此种内存模块运作时所产生的热能,相对于传统的DDR2、DDR3、DDR4内存模块运作时产生的热能,明显高出许多,而采用现有的散热方式,对运作中的DDR5进行散热则容易发生DDR5发生降频或热宕机等问题。

实用新型内容

本实用新型公开一种散热模块及动态随机存取内存装置,主要用以改善传统的散热方式,应用于DDR5内存模块中时,DDR5内存模块容易发生热宕机等问题。

本实用新型的其中一个实施例公开一种散热模块,其包含:一本体,其用以固定设置于一内存组件的一基板,基板设置有多个动态随机存取内存;本体包含:至少一容置穿孔,其贯穿本体,容置穿孔形成于本体的其中一个宽侧面;多个导流穿孔,各个导流穿孔贯穿本体;多个导流穿孔邻近容置穿孔设置;多个导流穿孔形成于本体的至少一个宽侧面;多个排风穿孔,其贯穿本体,多个排风穿孔位于本体的一窄侧;一风扇,其固定设置于本体,且风扇对应位于容置穿孔;风扇用以使基板外的空气通过容置穿孔及多个导流穿孔进入基板,通过容置穿孔及多个导流穿孔进入基板的空气则能通过多个排风穿孔向外排出;一电连接组件,其电性连接风扇,电连接组件能与一外部供电模块电性连接,以使外部供电模块供电给风扇。

优选地,散热模块还包含一控制器,控制器电性连接风扇,控制器能控制风扇开始运作、停止运作及风扇的转速,控制器与电连接组件相连接,控制器能通过电连接组件与外部供电模块电性连接,而外部供电模块能提供控制器运作时所需的电力。

优选地,容置穿孔及多个导流穿孔形成于本体的同一的宽侧面,且容置穿孔位于宽侧面的中央位置,多个导流穿孔位于容置穿孔的两侧,且多个导流穿孔是邻近本体相反于形成有多个排风穿孔的一侧设置。

优选地,部分的导流穿孔于容置穿孔的一侧排列成一排,位于同一排的多个导流穿孔的尺寸彼此不相同,且越靠近容置穿孔的导流穿孔的尺寸越小,越远离容置穿孔的导流穿孔的尺寸越大。

优选地,本体还包含多个导流结构;多个导流结构形成于本体相反于形成有多个排风穿孔的一侧,或者,多个导流结构位于本体彼此相反的两个短侧;风扇用以使基板外部的空气,通过多个导流结构的导引进入基板。

本实用新型的其中一个实施例公开一种动态随机存取内存装置,其包含:一基板,其一侧具有多个导电结构,多个导电结构用以插入一主板的一插槽中;多个动态随机存取内存,其固定设置于基板;一散热模块,其包含:一本体,其用以固定设置于基板,本体包含:至少一容置穿孔,其贯穿本体,容置穿孔形成于本体的其中一个宽侧面;多个导流穿孔,各个导流穿孔贯穿本体;多个导流穿孔邻近容置穿孔设置;多个导流穿孔形成于本体的至少一个宽侧面;多个排风穿孔,其贯穿本体,多个排风穿孔位于本体的一窄侧,多个排风穿孔位于本体远离多个导电结构的一侧设置;一风扇,其固定设置于本体,且风扇对应位于容置穿孔;风扇用以使基板外的空气通过容置穿孔及多个导流穿孔进入基板,通过容置穿孔及多个导流穿孔进入基板的空气则能通过多个排风穿孔向外排出;一电连接组件,其电性连接风扇,电连接组件能与一外部供电模块电性连接,以使外部供电模块供电给风扇。

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