[实用新型]芯片基板及存储器有效
申请号: | 202121054488.8 | 申请日: | 2021-05-17 |
公开(公告)号: | CN214898398U | 公开(公告)日: | 2021-11-26 |
发明(设计)人: | 孙成思;孙日欣;刘小刚 | 申请(专利权)人: | 深圳佰维存储科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/14 | 分类号: | H01L23/14;H01L23/367 |
代理公司: | 深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙) 44426 | 代理人: | 隆毅 |
地址: | 518000 广东省深圳市南山区桃*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 存储器 | ||
1.一种芯片基板,其特征在于,包括基板、设于所述基板上表面的第一走线层、设于所述基板下表面的第二走线层和设于所述第一走线层上表面的芯片,所述第一走线层的下表面嵌设有与所述芯片电性连接的第一铜箔覆层,所述第二走线层的上表面嵌设有与所述第一铜箔覆层位置相对且电性连接的第二铜箔覆层。
2.根据权利要求1所述的芯片基板,其特征在于,所述第一走线层的上表面嵌设有与所述第一铜箔覆层相接触的金手指,所述芯片与所述金手指通过金线连接。
3.根据权利要求1所述的芯片基板,其特征在于,所述基板上设有多个位于所述第一铜箔覆层和所述第二铜箔覆层之间的通孔,所述通孔的孔壁铺设有连接所述第一铜箔覆层和所述第二铜箔覆层的第三铜箔覆层。
4.根据权利要求3所述的芯片基板,其特征在于,所述通孔的直径为72um~78um。
5.根据权利要求1所述的芯片基板,其特征在于,所述第一铜箔覆层与所述基板的面积比为60%~70%,所述第二铜箔覆层与所述基板的面积比为70%~80%。
6.根据权利要求1所述的芯片基板,其特征在于,所述第二走线层的下表面设有多个锡球。
7.一种存储器,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的芯片基板。
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