[实用新型]芯片基板及存储器

说明书

本实用新型公开一种芯片基板，该芯片基板包括基板、设于所述基板上表面的第一走线层、设于所述基板下表面的第二走线层和设于所述第一走线层上表面的芯片，所述第一走线层的下表面嵌设有与所述芯片电性连接的第一铜箔覆层，所述第二走线层的上表面嵌设有与所述第一铜箔覆层位置相对且电性连接的第二铜箔覆层。本实用新型芯片基板相较于现有技术，减少了基板和铜箔覆层的设置，减小了厚度和体积，有助于芯片小型化发展，并且还降低了制造成本。此外，本实用新型还公开一种存储器。

技术领域

本实用新型涉及存储器技术领域，特别涉及一种芯片基板及存储器。

背景技术

在存储器中，芯片基板的电路走线是通过基板上设置多层铜箔层相互电连接，再通过铜箔层电连接存储芯片，以形成一个完整的电循环。然而，在存储器件的实际设计过程中，需要平衡芯片基板厚度与存储芯片容量的关系，容量大的存储芯片需要更多的电子器件和连接关系。

为实现所需电路的连接，现有的芯片基板一般是采用多层基板和多层铜箔层交替布置，进而使得芯片基板厚度大、体积大，占用较大空间，不利于芯片小型化发展，并且制造成本较高。

实用新型内容

本实用新型通过提出一种芯片基板，以解决现有的芯片基板厚度大、体积大且制造成本高的技术问题。

为实现上述目的，本实用新型提出一种芯片基板，该芯片基板包括基板、设于所述基板上表面的第一走线层、设于所述基板下表面的第二走线层和设于所述第一走线层上表面的芯片，所述第一走线层的下表面嵌设有与所述芯片电性连接的第一铜箔覆层，所述第二走线层的上表面嵌设有与所述第一铜箔覆层位置相对且电性连接的第二铜箔覆层。

优选地，所述第一走线层的上表面嵌设有与所述第一铜箔覆层相接触的金手指，所述芯片与所述金手指通过金线连接。

优选地，所述基板上设有多个位于所述第一铜箔覆层和所述第二铜箔覆层之间的通孔，所述通孔的孔壁铺设有连接所述第一铜箔覆层和所述第二铜箔覆层的第三铜箔覆层。

优选地，所述通孔的直径为72um～78um。

优选地，所述第一铜箔覆层与所述基板的面积比为60％～70％，所述第二铜箔覆层与所述基板的面积比为70％～80％。

优选地，所述第二走线层的下表面设有多个锡球。

本实用新型还提出一种存储器，该存储器包括前述记载的芯片基板。

与现有技术相比，本实用新型实施例技术方案的有益效果在于：

本芯片基板由基板、第一走线层、第二走线层和芯片组成，第一走线层和第二走线层上分别嵌设有第一铜箔覆层和第二铜箔覆层，其减少了基板和铜箔覆层的设置，减小了厚度和体积，有助于芯片小型化发展，并且还降低了制造成本。

附图说明

图1为本实用新型一实施例中芯片基板的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的方案进行清楚完整的描述，显然，所描述的实施例仅是本实用新型中的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

本实用新型提出一种芯片基板，参照图1，该芯片基板包括基板100、设于基板100上表面的第一走线层10、设于基板100下表面的第二走线层20和设于第一走线层10上表面的芯片30，第一走线层10的下表面嵌设有与芯片30电性连接的第一铜箔覆层40，第二走线层20的上表面嵌设有与第一铜箔覆层40位置相对且电性连接的第二铜箔覆层50。