[实用新型]基于低介电常数介质的介质谐振器天线及电子设备

权利要求书

1.一种基于低介电常数介质的介质谐振器天线，其特征在于，包括层叠的第一介质层和第二介质层，所述第一介质层包括天线区域，所述天线区域中设有多个过孔；所述第一介质层和第二介质层的介电常数为2.2-4.4；所述天线区域的长度和宽度均为0.55λ-0.65λ，λ为的波长长度。

2.根据权利要求1所述的基于低介电常数介质的介质谐振器天线，其特征在于，所述第一介质层和天线区域的厚度为二十分之一的波长长度。

3.根据权利要求1所述的基于低介电常数介质的介质谐振器天线，其特征在于，所述第一介质层和第二介质层的介电常数为2.2、2.9、3、3.3、3.52、3.66或4.4。

4.根据权利要求1所述的基于低介电常数介质的介质谐振器天线，其特征在于，所述多个过孔呈n×n阵列分布，n为正整数。

5.根据权利要求1所述的基于低介电常数介质的介质谐振器天线，其特征在于，还包括天线地层和第三介质层，所述天线地层位于所述第二介质层远离第一介质层的一侧，所述第三介质层位于所述天线地层远离第二介质层的一侧；所述天线地层上设有馈电缝隙，所述天线区域在所述天线地层上的投影覆盖所述馈电缝隙。

6.根据权利要求5所述的基于低介电常数介质的介质谐振器天线，其特征在于，还包括微带线，所述微带线设置于所述第三介质层远离天线地层的一面上，所述微带线与所述馈电缝隙耦合。

7.根据权利要求6所述的基于低介电常数介质的介质谐振器天线，其特征在于，所述微带线在所述天线地层上投影与所述馈电缝隙垂直相交。

8.根据权利要求5所述的基于低介电常数介质的介质谐振器天线，其特征在于，所述第三介质层的介电常数为2.2-4.4。

9.根据权利要求8所述的基于低介电常数介质的介质谐振器天线，其特征在于，所述第三介质层的介电常数为2.2、2.9、3、3.3、3.52、3.66或4.4。

10.一种电子设备，其特征在于，包括如权利要求1-9任一项所述的基于低介电常数介质的介质谐振器天线。