[实用新型]基于低介电常数介质的介质谐振器天线及电子设备有效

专利信息
申请号: 202121072803.X 申请日: 2021-05-18
公开(公告)号: CN215645020U 公开(公告)日: 2022-01-25
发明(设计)人: 赵伟;唐小兰;戴令亮;谢昱乾 申请(专利权)人: 深圳市信维通信股份有限公司
主分类号: H01Q9/04 分类号: H01Q9/04;H01Q9/06;H01Q1/50;H01Q1/36
代理公司: 深圳市博锐专利事务所 44275 代理人: 刘晓燕
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 基于 介电常数 介质 谐振器 天线 电子设备
【说明书】:

实用新型公开了一种基于低介电常数介质的介质谐振器天线及电子设备,包括层叠的第一介质层和第二介质层,所述第一介质层包括天线区域,所述天线区域中设有多个过孔;所述第一介质层和第二介质层的介电常数为2.2‑4.4;所述天线区域的长度和宽度均为0.55λ‑0.65λ,λ为波长长度。本实用新型可用低介电常数的介质等效出高介电常数的介质谐振器天线,从而避免对高介电常数物体的单独加工及其安装方式所带来的缺点。

技术领域

本实用新型涉及无线通信技术领域,尤其涉及一种基于低介电常数介质的介质谐振器天线及电子设备。

背景技术

5G作为全球业界的研发焦点,发展5G技术制定5G标准已经成为业界共识。国际电信联盟ITU在2015年6月召开的ITU-RWP5D第22次会议上明确了5G的三个主要应用场景:增强型移动宽带、大规模机器通信、高可靠低延时通信。这3个应用场景分别对应着不同的关键指标,其中增强型移动带宽场景下用户峰值速度为20Gbps,最低用户体验速率为100Mbps。毫米波独有的高载频、大带宽特性是实现5G超高数据传输速率的主要手段。

根据3GPP TS38.101-2 5G终端射频技术规范和TR38.817终端射频技术报告可知,5GmmWave频段有n257(26.5-29.5GHz)、n258(24.25-27.25GHz)、n260(37-40GHz)、n261(27.5-28.35GHz)以及新增的n259(39.5-43GHz),需要设计宽带天线满足性能。

介质谐振器天线凭借其体积小、重量轻、辐射效率高、损耗小以及易于馈电等优点开始在世界范围内展开广泛的研究和应用,在5G毫米波方面有广阔的应用空间。但是介质谐振器天线往往是通过高介电常数陶瓷等物体单独加工而成,在毫米波频段内,用胶水与SMT焊接等方式与馈电网络相结合,引入大量不可控制因素,因此需要避免这种缺点。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是:提供一种基于低介电常数介质的介质谐振器天线及电子设备,可用低介电常数的介质等效出高介电常数的介质谐振器天线。

为了解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案为:一种基于低介电常数介质的介质谐振器天线,包括层叠的第一介质层和第二介质层,所述第一介质层包括天线区域,所述天线区域中设有多个过孔;所述第一介质层和第二介质层的介电常数为2.2-4.4;所述天线区域的长度和宽度均为0.55λ-0.65λ,λ为波长长度。

进一步地,所述第一介质层和天线区域的厚度为二十分之一的波长长度。

进一步地,所述第一介质层和第二介质层的介电常数为2.2、2.9、3、3.3、3.52、3.66或4.4。

进一步地,所述多个过孔呈n×n阵列分布,n为正整数。

进一步地,还包括天线地层和第三介质层,所述天线地层位于所述第二介质层远离第一介质层的一侧,所述第三介质层位于所述天线地层远离第二介质层的一侧;所述天线地层上设有馈电缝隙,所述天线区域在所述天线地层上的投影覆盖所述馈电缝隙。

进一步地,还包括微带线,所述微带线设置于所述第三介质层远离天线地层的一面上,所述微带线与所述馈电缝隙耦合。

进一步地,所述微带线在所述天线地层上投影与所述馈电缝隙垂直相交。

进一步地,所述第三介质层的介电常数为2.2-4.4。

进一步地,所述第三介质层的介电常数为2.2、2.9、3、3.3、3.52、3.66或4.4。

本实用新型还提出一种电子设备,包括如上所述的基于低介电常数介质的介质谐振器天线。

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