[实用新型]一种用于制造半导体陶瓷片的可加热粗轧机有效
申请号: | 202121125567.3 | 申请日: | 2021-05-25 |
公开(公告)号: | CN214925352U | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 周富;刘瑞生;田茂标;赵显萍;任文彬;游炯;陈书生 | 申请(专利权)人: | 成都万士达瓷业有限公司 |
主分类号: | B28B3/12 | 分类号: | B28B3/12;B28B17/00 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 康拯通 |
地址: | 611332 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 制造 半导体 陶瓷 加热 轧机 | ||
本实用新型公开了一种用于制造半导体陶瓷片的可加热粗轧机,包括底板、动力组件和轧辊组件;动力组件安装在底板上,轧辊组件包括轧辊支架、主轧辊和从动轧辊,轧辊支架安装在底板上,主轧辊和从动轧辊相互平行且均水平转动安装在轧辊支架上,动力组件传动连接主轧辊,还包括安装在轧辊支架上、用于承受主轧辊和从动轧辊轧辊轴径向力和轴向力的双轴承组件,以及用于对主轧辊和从动轧辊加热的加热组件;主轧辊和从动轧辊的内部均为圆柱形中空的腔体,加热组件位于中空的腔体内。通过在主轧辊和从动轧辊内部的中空腔体内设置加热组件,在物料粗轧加工时对物料进行加热,进而对物料进行热态塑性压缩,以提高粗轧后的物料精度,提高粗轧效率。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,更具体地说涉及一种用于制造半导体陶瓷片的可加热粗轧机。
背景技术
半导体陶瓷是具有半导体特性的陶瓷,半导体陶瓷的电导率因外界条件(温度、光照、电场、气氛和温度等)的变化而发生显著的变化,因此可以将外界环境的物理量变化转变为电信号,制成各种用途的敏感元件。
半导体陶瓷生产工艺的共同特点是必须经过半导化过程。半导化过程可通过掺杂不等价离子取代部分主晶相离子(例如,BaTiO3中的Ba2+被La3+取代),使晶格产生缺陷,形成施主或受主能级,以得到n型或p型的半导体陶瓷。另一种方法是控制烧成气氛、烧结温度和冷却过程。例如氧化气氛可以造成氧过剩,还原气氛可以造成氧不足,这样可使化合物的组成偏离化学计量而达到半导化。半导体陶瓷敏感材料的生产工艺简单,成本低廉,体积小,用途广泛。压敏陶瓷,指伏安特性为非线性的陶瓷。如碳化硅、氧化锌系陶瓷。它们的电阻率相对于电压是可变的,在某一临界电压下电阻值很高,超过这一临界电压则电阻急剧降低。典型产品是氧化锌压敏陶瓷,主要用于浪涌吸收、高压稳压、电压电流限制和过电压保护等方面。随着功率电子器件的发展,电路板集成度与工作频率不断提高,散热问题已成为功率电子器件发展中必须要解决的关键问题。陶瓷基片是大功率电子器件、集成电路基片的封装材料,是功率电子、电子封装与多芯片模块等技术中的关键配套材料,其性能决定着模块的散热效率和可靠性。
低氧铜烧结DBC半导体热电基片由于具有高导热性、高电绝缘性、电流容量大、机械强度高、与硅芯片相匹配的温度特性等特点,因此被广泛应用于航天、军工、汽车等特殊电子行业,用来做功率芯片的绝缘与散热。
申请号为CN201821216455.7的中国专利,公开了一种用于制造半导体陶瓷片的粗轧机,包括减速电机、联轴器、轧辊、进给丝杆、轴承座、辅助轧辊和辅助轧辊轴承座,所述减速电机设置在粗轧机的一侧,所述轴承座设置在粗轧机的另一侧,所述减速电机与联轴器相连,所述粗轧机上设置有多个轧辊,所述联轴器与多个轧辊中的一根轧辊相连接,所述轧辊的上方设置有进给丝杆,所述轧辊的下方设置有辅助轧辊轴承座,所述辅助轴承座上设置有辅助轧辊。
该粗轧机进行粗轧时,由于其无法对物料进行加热,成型过程中没有经过热态塑性压缩,物料塑性高,导致变形抵抗力高,进而导致粗轧后的物料精度较低,粗轧效率低。另外,该专利中,轧辊通过轴承座转动安装,轴承座内放置一个轴承,在轧辊实际工作中,轧辊转动会产生径向以及轴向的力,并将径向力和轴向力传递给轴承处,若只安装一个轴承,一个轴承长期受径向力和轴向力会导致轴承使用寿命降低,同时影响轧辊的平稳转动。
实用新型内容
为了克服上述现有技术中存在的缺陷,本实用新型的目的是提供一种用于制造半导体陶瓷片的可加热粗轧机,通过在主轧辊和从动轧辊内部的中空腔体内设置加热组件,在物料粗轧加工时对物料进行加热,从而对物料进行热态塑性压缩,以提高粗轧后的物料精度,提高粗轧效率;通过在轧辊两端的轴处安装有带内套滚针轴承和推力轴承,以承受轧辊轴径向力和轴向力,提高轴承的使用寿命,同时使轧辊平稳地转动加工物料。
为了实现以上目的,本实用新型采用的技术方案:
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