[实用新型]一种错位开槽硅舟有效
| 申请号： | 202121187484.7 | 申请日： | 2021-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN214797358U | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 徐爱民;顾标琴;缪星晔 | 申请（专利权）人： | 江苏扬杰润奥半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 南京源点知识产权代理有限公司 32545 | 代理人： | 潘云峰 |
| 地址： | 225000 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 错位 开槽 | ||
【权利要求书】：
1.一种错位开槽硅舟，其特征在于，所述硅舟内表面沿其长度方向间隔开设有若干用于放置硅片的凹槽；
所述硅舟表面并排设置有若干通槽组，所述通槽组包括若干的通槽，任意两组所述通槽组的通槽相互错位排布设置。
2.根据权利要求1所述的错位开槽硅舟，其特征在于，同一所述通槽组中相邻两所述通槽之间形成隔断，任意两组所述通槽组中所述隔断不在同一直线上。
3.根据权利要求1所述的错位开槽硅舟，其特征在于，所述凹槽两侧顶部开设有倒角。
4.根据权利要求3所述的错位开槽硅舟，其特征在于，所述凹槽两侧所述倒角之间形成60°-90°的夹角。
5.根据权利要求1所述的错位开槽硅舟，其特征在于，所述凹槽设置为与硅片外周贴合的弧形。
6.根据权利要求1所述的错位开槽硅舟，其特征在于，所述硅舟内表面沿其长度方向均匀间隔开设有若干所述凹槽。
7.根据权利要求2所述的错位开槽硅舟，其特征在于，所述隔断的最小宽度设置为L，所述通槽最大长度设置为D，其中L≥1/10D。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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