[实用新型]基于颗粒硅的单晶棒制备装置

权利要求书

1.基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：包括炉室和位于炉室内部的：

盛料容器，内部放置有颗粒硅，底部开口设置有控制挡板；

导料滑道，上端位于所述底部开口正下方；

熔区，位于导料滑道下端的正下方；

加热线圈，位于熔区外围；

单晶棒拉制模组，位于所述熔区正上方。

2.根据权利要求1所述的基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：所述单晶棒拉制模组包括：

籽晶，位于熔区正上方；

夹头，用于夹持所述籽晶远离熔区的一端；

可提升上轴，与夹头固定连接。

3.根据权利要求1所述的基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：还包括与炉室连接的环境控制模组。

4.根据权利要求3所述的基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：所述环境控制模组包括抽真空设备和充氩气设备。

5.根据权利要求1所述的基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：所述盛料容器为高纯石英盛料容器。

6.根据权利要求1所述的基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：所述盛料容器内表面为纯硅内表面。

7.根据权利要求1所述的基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：还包括位于炉室外部的控制器，所述控制器与控制挡板、加热线圈和单晶棒拉制模组连接。

8.根据权利要求1所述的基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：所述熔区为圆环熔区。

9.根据权利要求8所述的基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：所述加热线圈为与所述熔区同圆心的圆环加热线圈。

10.根据权利要求1所述的基于颗粒硅的单晶棒制备装置，其特征在于：所述导料滑道的倾斜角度为30度-60度。