[实用新型]阵列基板的蚀刻装置和蚀刻机有效
申请号: | 202121204774.8 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN215220663U | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 张阳圣;康报虹 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 蚀刻 装置 | ||
1.一种阵列基板的蚀刻装置,包括腔体、承载平台、抽气泵和多个导流板,所述承载平台、导流板和抽气泵的抽气端设置在腔体内,多个所述导流板设置在所述承载平台的边缘外侧,所述抽气泵的抽气端设置在所述导流板下方,其特征在于,所述承载平台的每一侧都设有至少两个导流板,相邻所述导流板之间设有开口;
相邻所述导流板的高度不同,且所述开口由相邻所述导流板之间的高度差形成。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,所述导流板包括四个平台导流板和四个角落导流板,四个所述平台导流板分别设置在所述承载平台的四个侧边,四个所述角落导流板分别设置在所述平台导流板的四个角落处,且所述平台导流板与所述角落导流板的高度不同;
所述平台导流板包括至少两个第一导流板和至少一个第二导流板,所述第一导流板间隔设置并且都位于同一水平面上,所述第二导流板设置在相邻所述第一导流板之间的间隔处;
所述第二导流板的高度低于所述第一导流板的高度,所述开口由所述第二导流板和所述第一导流板之间的高度差形成。
3.根据权利要求2所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,每个所述平台导流板都包括两个第一导流板和一个第二导流板;
所述蚀刻装置包括八个抽气泵,所述抽气泵与所述第一导流板一一对应设置,且所述抽气泵都设置在对应所述第一导流板的正下方。
4.根据权利要求2所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,每个所述平台导流板都包括三个第一导流板和两个第二导流板,所述第二导流板设置在相邻所述第一导流板之间,且所述第二导流板都位于同一水平面;
所述蚀刻装置包括八个抽气泵,所述抽气泵与所述第二导流板一一对应设置,且所述抽气泵都设置在对应所述第二导流板的正下方。
5.根据权利要求3或4任意一项所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,所述角落导流板包括至少一个第三导流板和至少两个第四导流板,所述第三导流板与所述第一导流板位于同一水平面;
所述第四导流板的高度低于第三导流板的高度,且所述第四导流板位于相邻所述第一导流板和第三导流板之间,相邻所述第一导流板和第三导流板之间设有开口,所述开口由所述第一导流板和第四导流板之间的高度差形成,或由所述第三导流板和第四导流板之间的高度差形成。
6.根据权利要求2-4任意一项所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,相邻所述第一导流板之间的间距,与所述第二导流板的宽度相等,且所述第二导流板的正投影与所述第一导流板的正投影不重叠。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,每个所述平台导流板中的开口数量相同,开口面积相等,且相对的两个所述平台导流板中的开口对称设置。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,所述第一导流板和所述第二导流板上均设置有多个均匀分布的气孔,所述气孔贯穿所述第一导流板和第二导流板。
9.根据权利要求1所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,相邻所述导流板之间间隔设置,且所述开口由相邻所述导流板之间的间距形成。
10.一种蚀刻机,其特征在于,包括如权利要求1-9任意一项所述的阵列基板的蚀刻装置,以及为所述蚀刻装置的腔体内提供蚀刻气体的喷嘴。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠科股份有限公司,未经惠科股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202121204774.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高速线材导卫的自动清洗装置
- 下一篇:一种阻燃PP材料生产用除湿机
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造