[实用新型]阵列基板的蚀刻装置和蚀刻机有效

专利信息
申请号: 202121204774.8 申请日: 2021-05-31
公开(公告)号: CN215220663U 公开(公告)日: 2021-12-17
发明(设计)人: 张阳圣;康报虹 申请(专利权)人: 惠科股份有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 代理人: 邢涛
地址: 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 阵列 蚀刻 装置
【权利要求书】:

1.一种阵列基板的蚀刻装置,包括腔体、承载平台、抽气泵和多个导流板,所述承载平台、导流板和抽气泵的抽气端设置在腔体内,多个所述导流板设置在所述承载平台的边缘外侧,所述抽气泵的抽气端设置在所述导流板下方,其特征在于,所述承载平台的每一侧都设有至少两个导流板,相邻所述导流板之间设有开口;

相邻所述导流板的高度不同,且所述开口由相邻所述导流板之间的高度差形成。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,所述导流板包括四个平台导流板和四个角落导流板,四个所述平台导流板分别设置在所述承载平台的四个侧边,四个所述角落导流板分别设置在所述平台导流板的四个角落处,且所述平台导流板与所述角落导流板的高度不同;

所述平台导流板包括至少两个第一导流板和至少一个第二导流板,所述第一导流板间隔设置并且都位于同一水平面上,所述第二导流板设置在相邻所述第一导流板之间的间隔处;

所述第二导流板的高度低于所述第一导流板的高度,所述开口由所述第二导流板和所述第一导流板之间的高度差形成。

3.根据权利要求2所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,每个所述平台导流板都包括两个第一导流板和一个第二导流板;

所述蚀刻装置包括八个抽气泵,所述抽气泵与所述第一导流板一一对应设置,且所述抽气泵都设置在对应所述第一导流板的正下方。

4.根据权利要求2所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,每个所述平台导流板都包括三个第一导流板和两个第二导流板,所述第二导流板设置在相邻所述第一导流板之间,且所述第二导流板都位于同一水平面;

所述蚀刻装置包括八个抽气泵,所述抽气泵与所述第二导流板一一对应设置,且所述抽气泵都设置在对应所述第二导流板的正下方。

5.根据权利要求3或4任意一项所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,所述角落导流板包括至少一个第三导流板和至少两个第四导流板,所述第三导流板与所述第一导流板位于同一水平面;

所述第四导流板的高度低于第三导流板的高度,且所述第四导流板位于相邻所述第一导流板和第三导流板之间,相邻所述第一导流板和第三导流板之间设有开口,所述开口由所述第一导流板和第四导流板之间的高度差形成,或由所述第三导流板和第四导流板之间的高度差形成。

6.根据权利要求2-4任意一项所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,相邻所述第一导流板之间的间距,与所述第二导流板的宽度相等,且所述第二导流板的正投影与所述第一导流板的正投影不重叠。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,每个所述平台导流板中的开口数量相同,开口面积相等,且相对的两个所述平台导流板中的开口对称设置。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,所述第一导流板和所述第二导流板上均设置有多个均匀分布的气孔,所述气孔贯穿所述第一导流板和第二导流板。

9.根据权利要求1所述的阵列基板的蚀刻装置,其特征在于,相邻所述导流板之间间隔设置,且所述开口由相邻所述导流板之间的间距形成。

10.一种蚀刻机,其特征在于,包括如权利要求1-9任意一项所述的阵列基板的蚀刻装置,以及为所述蚀刻装置的腔体内提供蚀刻气体的喷嘴。

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