[实用新型]阵列基板的蚀刻装置和蚀刻机有效
申请号: | 202121204774.8 | 申请日: | 2021-05-31 |
公开(公告)号: | CN215220663U | 公开(公告)日: | 2021-12-17 |
发明(设计)人: | 张阳圣;康报虹 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 深圳市百瑞专利商标事务所(普通合伙) 44240 | 代理人: | 邢涛 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 蚀刻 装置 | ||
本申请公开了一种阵列基板的蚀刻装置和蚀刻机,蚀刻装置包括腔体、承载平台、抽气泵和多个导流板,所述导流板设置在所述承载平台的边缘外侧,所述承载平台的每一侧都设有多个导流板,相邻所述导流板之间设有开口;且相邻所述导流板的高度不同,开口由相邻所述导流板之间的高度差形成。本申请通过在承载平台每一侧设置多个导流板,利用相邻导流板的高度差形成开口,从而使气体生成物可以从承载平台四周不同的方向均匀流出被抽气泵抽走,使等离子体在腔体四周的浓度达到基本平衡,不会形成不适当的负载效应,使得待加工阵列基板各个部分的蚀刻程度基本相同,保证待加工基板的各部分的加工均匀性,进而提高产品品质。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板的蚀刻装置和蚀刻机。
背景技术
随着科技进步,具有省电、无辐射、体积小、低耗电量、平面直角、高分辨率、画质稳定等多项优势的液晶显示器,尤其是现今各式信息产品如:手机、笔记本电脑、数字相机、PDA、液晶屏幕等产品越来越普及,也使得液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)的需求量大大提升。因而推动了液晶显示面板行业的快速发展,面板的产量不断提升。蚀刻工艺是制造液晶显示面板的阵列基板过程中的一个重要步骤。在整个加工过程中,在保证蚀刻气体的气压、气流的稳定的前提下,使整个加工过程中待加工基板面每个部分接触到相等的量的蚀刻气体、以期待加工基板各部分会以相同速率被处理,确保待加工基板各部分在加工过程中的加工均一性。
现有的蚀刻设备通过角落导流板从腔体的四角的开口排气,使得腔室中反应物和蚀刻气体分布不均匀,进而使得待加工基板各个部分的蚀刻程度不同,造成待加工基板的各部分的加工均一性不佳,严重影响产品的品质。
实用新型内容
本申请的目的是提供一种阵列基板的蚀刻装置和蚀刻机,通过在承载平台每一侧设置多个高度不同的导流板,利用相邻导流板的高度差形成开口,使蚀刻过程中产生的生成物可以从承载平台四周不同的方向均匀流出被抽气泵抽走,从而提高对待加工基板的蚀刻均匀效果。
本申请公开了一种阵列基板的蚀刻装置,包括腔体、承载平台、抽气泵和多个导流板,所述承载平台、导流板和抽气泵的抽气端设置在腔体内,多个所述导流板设置在所述承载平台的边缘外侧,所述抽气泵的抽气端设置在所述导流板下方,所述承载平台的每一侧都设有至少两个导流板,相邻所述导流板之间设有开口;相邻所述导流板的高度不同,且所述开口由相邻所述导流板之间的高度差形成。
作为本申请的一种实施方式,所述导流板包括四个平台导流板和四个角落导流板,四个所述平台导流板分别设置在所述承载平台的四个侧边,四个所述角落导流板分别设置在所述平台导流板的四个角落处,且所述平台导流板与所述角落导流板的高度不同;所述平台导流板包括至少两个第一导流板和至少一个第二导流板,所述第一导流板间隔设置并且都位于同一水平面上,所述第二导流板设置在相邻所述第一导流板之间的间隔处;所述第二导流板的高度低于所述第一导流板的高度,所述开口由所述第二导流板和所述第一导流板之间的高度差形成。
作为本申请的一种实施方式,每个所述平台导流板都包括两个第一导流板和一个第二导流板;所述蚀刻装置包括八个抽气泵,所述抽气泵与所述第一导流板一一对应设置,且所述抽气泵都设置在对应所述第一导流板的正下方。
作为本申请的一种实施方式,每个所述平台导流板都包括三个第一导流板和两个第二导流板,所述第二导流板设置在相邻所述第一导流板之间,且所述第二导流板都位于同一水平面;所述蚀刻装置包括八个抽气泵,所述抽气泵与所述第二导流板一一对应设置,且所述抽气泵都设置在对应所述第二导流板的正下方。
作为本申请的一种实施方式,所述角落导流板包括至少一个第三导流板和至少两个第四导流板,所述第三导流板与所述第一导流板位于同一水平面;所述第四导流板的高度低于第三导流板的高度,且所述第四导流板位于相邻所述第一导流板和第三导流板之间,相邻所述第一导流板和第三导流板之间设有开口,所述开口由所述第一导流板和第四导流板之间的高度差形成,或由所述第三导流板和第四导流板之间的高度差形成。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造