[实用新型]用于刻蚀装置的缓冲构件和刻蚀装置有效
申请号: | 202121224576.8 | 申请日: | 2021-06-02 |
公开(公告)号: | CN216120217U | 公开(公告)日: | 2022-03-22 |
发明(设计)人: | 王铖熠;郭颂;张霄;刘海洋;张怀东;张亦涛;胡冬冬;许开东 | 申请(专利权)人: | 北京鲁汶半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01J37/32 |
代理公司: | 济南文衡创服知识产权代理事务所(普通合伙) 37323 | 代理人: | 赵可 |
地址: | 221300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 刻蚀 装置 缓冲 构件 | ||
1.一种用于刻蚀装置的缓冲构件(25),其特征在于,所述刻蚀装置包括:
腔体(1),所述腔体(1)内限定出腔室,所述腔体(1)上设有与所述腔室连通的抽真空管路,所述抽真空管路与干泵(26)相连以使所述腔室内保持真空环境,所述抽真空管路和所述干泵(26)均位于所述腔室外,在所述腔室内固定有晶圆(12);
第一阀体(24),所述第一阀体(24)设在所述抽真空管路上,且位于所述腔体(1)和所述干泵(26)之间,用于控制所述抽真空管路的通断;
缓冲构件(25),所述缓冲构件(25)设在所述抽真空管路上,且位于所述腔体(1)和所述第一阀体(24)之间,以在抽真空时减小对所述晶圆(12)的瞬间抽吸作用力。
2.根据权利要求1所述的用于刻蚀装置的缓冲构件(25),其特征在于,所述缓冲构件(25)包括:
中心支架(29),所述中心支架(29)固设在所述抽真空管路上,所述中心支架(29)内设有横梁(32);
密封圈(28),所述密封圈(28)套设在所述中心支架(29)外周上;
阀片(30),所述阀片(30)可转动地连接在所述横梁(32)上,所述干泵(26)的抽吸作用可驱动所述阀片(30)在打开位置和关闭位置进行切换;
弹性件(31),所述弹性件(31)连接在所述阀片(30)和所述横梁(32)之间,在所述阀片(30)处于所述关闭位置时所述弹性件(31)处于自然状态,在所述阀片(30)处于所述打开位置时所述弹性件(31)处于压缩状态。
3.根据权利要求2所述的用于刻蚀装置的缓冲构件(25),其特征在于,所述横梁(32)包括一个,所述阀片(30)包括第一阀片,所述第一阀片可转动地连接在所述横梁(32)的一侧,所述第一阀片和所述横梁(32)之间设有所述弹性件(31)。
4.根据权利要求3所述的用于刻蚀装置的缓冲构件(25),其特征在于,所述横梁(32)的另一侧设有封闭片,所述封闭片分别与所述横梁(32)和所述中心支架(29)的内周壁固定相连且封闭住所述另一侧的开口。
5.根据权利要求3所述的用于刻蚀装置的缓冲构件(25),其特征在于,所述阀片(30)还包括第二阀片,所述第二阀片可转动地连接在所述横梁(32)的另一侧,所述第二阀片和所述横梁(32)之间设有所述弹性件(31)。
6.根据权利要求2所述的用于刻蚀装置的缓冲构件(25),其特征在于,所述横梁(32)包括多个,所述阀片(30)包括多个,每个所述阀片(30)均可转动地连接在对应的所述横梁(32)上,每个所述阀片(30)和对应的所述横梁(32)之间均设有所述弹性件(31)。
7.根据权利要求6中所述的用于刻蚀装置的缓冲构件(25),其特征在于,所述阀片(30)的厚度为t,其中1mm≤t≤3mm。
8.根据权利要求7所述的用于刻蚀装置的缓冲构件(25),其特征在于,所述阀片(30)形成为不锈钢片。
9.根据权利要求8所述的用于刻蚀装置的缓冲构件(25),其特征在于,所述阀片(30)的打开位置和所述关闭位置之间的夹角为α,其中0°≤α≤60°。
10.一种刻蚀装置,其特征在于,包括根据权利要求1-9中任一项所述的用于刻蚀装置的缓冲构件(25)。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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