[实用新型]用于刻蚀装置的缓冲构件和刻蚀装置

说明书

本实用新型公开了一种用于刻蚀装置的缓冲构件和刻蚀装置，刻蚀装置包括：腔体，腔体内限定出腔室，腔体上设有与腔室连通的抽真空管路，抽真空管路与干泵相连以使腔室内保持真空环境，抽真空管路和干泵均位于腔室外，在腔室内固定有晶圆；第一阀体，第一阀体设在抽真空管路上，且位于腔体和干泵之间，用于控制抽真空管路的通断；缓冲构件，缓冲构件设在抽真空管路上，且位于腔体和第一阀体之间，以在抽真空时减小对晶圆的瞬间抽吸作用力。根据本实用新型的用于刻蚀装置的缓冲构件，通过在抽空管路在设置缓冲构件，避免由于瞬间抽吸作用力和固定晶圆作用力之间强烈反差作用、进而对腔室内的晶圆造成破碎的现象发生，防止对生产成本造成浪费。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其是涉及一种用于刻蚀装置的缓冲构件及其刻蚀装置。

背景技术

等离子刻蚀是干法刻蚀中最常见的一种形式，当气体暴露于电子区域时，产生电离气体和具有高能电子的气体，从而形成等离子体，电离气体经过加速电场，将释放大量能量刻蚀表面。等离子体刻蚀中，速度和均匀性是两个极其重要的参数。对于工业生产来说，刻蚀速度快，则刻蚀所需时间就少，生产效率才能大幅提高，而均匀性则对产品的良品率有较大影响。

在真空低压下，ICP射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈，以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电，产生高密度的等离子体，在下电极的RF射频作用下，这些等离子体对基片表面进行轰击，基片图形区域的半导体材料的化学键被打断，与刻蚀气体生成挥发性物质，以气体形式脱离基片，并从真空管路被抽走。

在半导体刻蚀机设备中，晶圆放置于电极上，为了防止晶圆在工艺过程中产生位移导致上、下电极导通，从而出现打火现象，致使晶圆不良率和设备故障率升高，进而影响正常生产，故在电极四周用耐高温绝缘材料的压环做保护，压环将晶圆完全固定住后，晶圆会受到相应的压力，当真空泵启动时会产生瞬间作用力，该作用力与压环的压力方向相反并且大于晶圆的表面应力，所以就会出现晶圆破碎的现象，也就是碎片。这种现象发生会严重影响生产，造成成本的浪费，故亟待解决。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。

为此，本实用新型提出一种用于刻蚀装置的缓冲构件，所述用于刻蚀装置的缓冲构件的本实用新型还提出了一种具有上述用于刻蚀装置的缓冲构件的刻蚀装置。

根据本实用新型第一方面的用于刻蚀装置的缓冲构件，所述刻蚀装置包括：腔体，所述腔体内限定出腔室，所述腔体上设有与所述腔室连通的抽真空管路，所述抽真空管路与干泵相连以使所述腔室内保持真空环境，所述抽真空管路和所述干泵均位于所述腔室外，在所述腔室内固定有晶圆；第一阀体，所述第一阀体设在所述抽真空管路上，且位于所述腔体和所述干泵之间，用于控制所述抽真空管路的通断；缓冲构件，所述缓冲构件设在所述抽真空管路上，且位于所述腔体和所述第一阀体之间，以在抽真空时减小对所述晶圆的瞬间抽吸作用力。

根据本实用新型的用于刻蚀装置的缓冲构件，通过在抽空管路在设置缓冲构件，干泵在启动时，缓冲构件可以减缓对腔室内晶圆的瞬间抽吸作用力，避免由于瞬间抽吸作用力和固定晶圆作用力之间强烈反差作用、进而对腔室内的晶圆造成破碎的现象发生，防止对生产成本造成浪费。

根据本实用新型的一个实施例，所述缓冲构件包括：中心支架，所述中心支架固设在所述抽真空管路上，所述中心支架内设有横梁；密封圈，所述密封圈套设在所述中心支架外周上；阀片，所述阀片可转动地连接在所述横梁上，所述干泵的抽吸作用可驱动所述阀片在打开位置和关闭位置进行切换；弹性件，所述弹性件连接在所述阀片和所述横梁之间，在所述阀片处于所述关闭位置时所述弹性件处于自然状态，在所述阀片处于所述打开位置时所述弹性件处于压缩状态。

根据本实用新型一个可选示例，所述横梁包括一个，所述阀片包括第一阀片，所述第一阀片可转动地连接在所述横梁的一侧，所述第一阀片和所述横梁之间设有所述弹性件。