[实用新型]一种化学气相沉积气体导流机构

说明书

一种化学气相沉积气体导流机构，涉及化学气相沉积设备技术领域，包括布气筒、上盖、进气管、支撑件、安装板、安装管、安装柱和分流罩；布气筒为底端封闭的圆筒结构，布气筒底部均匀设置有多个出气孔；上盖设置在布气筒上端；进气管设置在上盖上，进气管与布气筒连通，进气管位于上盖中部；支撑件设置在布气筒内壁上，支撑件为上下开口且中空的圆台结构，支撑件上均匀设置有多个第一通孔；安装板设在支撑件上端面，安装板上设置有多个第二通孔；安装管设置在安装板上，安装管位于进气管下方；安装柱卡接在安装管内；分流罩设置在安装柱上端。本实用新型使得膜厚测试更为简单方便，制作成本低，降低了气流大小不均匀对气体沉积膜厚度造成的影响。

技术领域

本实用新型涉及化学气相沉积设备技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积气体导流机构。

背景技术

化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。

目前市面上化学气相沉积设备一般采用平行电容式整流板。这种平行电容式整流板与衬底保持平行，其整流板上设有阵列孔以供气体排出；通过膜厚测试对膜厚厚的区域的排气孔进行堵孔，或对膜厚薄的区域的排气孔进行扩孔。但由于上述整流板的出气口(排气孔)为阵列孔，即阵列均匀排布的出气孔，而整流板的进气孔一般处于整流板的中心，使其为中间(整流板的中部位置)进气、整个面(整流板的整个内平面)出气，这势必会出现中间的出气孔气流大、边缘的出气孔气流小的现象。从而影响了气体的使用效率、以及气体沉积膜厚的均匀性；另外，因阵列的出气孔小且多，所以在进行膜厚测试时，需要反复验证，反复进行堵孔、扩孔等操作，制作成本高、调试时间长。

实用新型内容

(一)实用新型目的

为解决背景技术中存在的技术问题，本实用新型提出一种化学气相沉积气体导流机构，使得膜厚测试更为简单方便，制作成本低，调试时间短，降低了气流大小不均匀对气体沉积膜厚度造成的影响。

(二)技术方案

本实用新型提供了一种化学气相沉积气体导流机构，包括布气筒、上盖、进气管、支撑件、安装板、安装管、安装柱和分流罩；

布气筒为底端封闭的圆筒结构，布气筒底部均匀设置有多个出气孔；上盖设置在布气筒上端；进气管设置在上盖上，进气管与布气筒连通，进气管位于上盖中部；支撑件设置在布气筒内壁上，支撑件为上下开口且中空的圆台结构，支撑件上均匀设置有多个第一通孔；安装板设置在支撑件上端面，安装板上设置有多个第二通孔；安装管设置在安装板上，安装管位于进气管下方；安装柱卡接在安装管内；分流罩设置在安装柱上端。

优选的，安装管横向两侧均设置有导向槽，导向槽内壁上绕安装管中心轴旋转设置有限位槽；安装柱底端部横向两侧均设置有限位杆，限位杆与安装管滑动连接，限位杆位于导向槽内或限位槽内。

优选的，还包括复位弹簧和顶块；顶块滑动设置在安装管纵向两侧内壁上；复位弹簧设置在安装板上，复位弹簧位于安装管内，复位弹簧的上端与顶块连接。

优选的，安装管纵向两侧内壁上均设置有滑槽；顶块纵向两侧均设置有滑块，滑块与安装管滑动连接，滑块位于滑槽内。

优选的，滑槽为T形槽状结构，滑块为T形块状结构，滑块与滑槽相适配。

优选的，上盖外周面上设置有外螺纹，布气筒上端内壁上设置有内螺纹，上盖和布气筒螺纹连接。

优选的，分流罩为圆锥结构，分流罩底面设置有圆锥槽，安装柱位于分流罩的圆锥槽内。

优选的，还包括密封垫；密封垫设置在布气筒上端面，密封垫位于布气筒和上盖之间。