[实用新型]一种碳化硅涂层装备

说明书

本实用新型公开了一种碳化硅涂层装备，包括气相沉积炉体和收纳箱，所述收纳箱设置在气相沉积炉体的一侧，所述气相沉积炉体内部自下而上设置有坩埚、沉积室、收料盒和导气管，所述沉积室、收料盒、导气管外包覆有加热器，所述加热器外部包覆有保温层，加热器和保温层分别起到加热和保温的作用，所述保温层的外部包覆有水冷夹套，水冷夹套用于给气相沉积炉体降温，收料盒上开设有连通沉积室和收料盒的第一通孔，收料盒内部设置有集尘室，所述集尘室的上方盖设有集尘室盖板，集尘室盖板上开设连通集尘室和收料盒的第二通孔；本实用新型能够简单有效的对排放的空气进行四级过滤，避免污染资源。

技术领域

本实用新型涉及碳化硅涂层生产技术领域，具体涉及一种碳化硅涂层装备。

背景技术

碳化硅具有优异的物理化学性能，如高熔点、高硬度、耐腐蚀、抗氧化等，特别是在1800-2000℃范围，具有良好的抗烧蚀性能，因此，在航空航天、兵器装备等领域具有广阔的应用前景。但碳化硅本身不能作为结构材料使用，所以通常采用制备涂层的方法，以利用其耐磨性以及抗烧蚀性。碳化硅涂层一般是采用物理或化学气相沉积、喷涂等方法在零件表面制备碳化硅涂层。其中，化学气相沉积的方法较为常用。化学气相沉积，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。一般地，化学气相沉积可以理解为两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后两种原材料之间发生气相热分解反应，形成一种新的材料，沉积到基体晶片表面上，使得基体获得更好的表面质量效果；其中，气体原材料一般为金属蒸气、挥发性金属卤化物、氢化物或金属有机化合物等气体。

在传统的化学气相沉积炉在对炉内输送气体时，一般是一个输气管直接输入炉内，输送管道比较单一，容易导致气体原材料的分布不均匀，容易降低沉积速率，使碳化硅涂层的致密性和均匀性较差，从而使产品质量降低。鉴于以上缺陷，实有必要设计一种碳化硅涂层装备。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种碳化硅涂层装备，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种碳化硅涂层装备，包括气相沉积炉体和收纳箱，所述收纳箱设置在气相沉积炉体的一侧，所述气相沉积炉体内部自下而上设置有坩埚、沉积室、收料盒和导气管，所述沉积室、收料盒、导气管外包覆有加热器，所述加热器外部包覆有保温层，加热器和保温层分别起到加热和保温的作用，所述保温层的外部包覆有水冷夹套，水冷夹套用于给气相沉积炉体降温，收料盒上开设有连通沉积室和收料盒的第一通孔，收料盒内部设置有集尘室，所述集尘室的上方盖设有集尘室盖板，集尘室盖板上开设连通集尘室和收料盒的第二通孔。

优选的，所述气相沉积炉体的顶部开设有排气孔，所述排气孔与导气管相连通，所述排气孔上安装有环形连接板，在环形连接板上安装有第一导流管，所述第一导流管远离环形连接板的一端延伸至净化液存蓄箱内，所述净化液存蓄箱固定安装在收纳箱的底部内壁上。

优选的，所述收纳箱的顶部设有开口，所述收纳箱的两侧内壁上分别固定安装有竖板，竖板上开设有螺栓孔，在两个竖板相互靠近的一侧分别开设有第一凹槽，所述第一凹槽的顶部内壁设有开口；在两个第一凹槽内设置有过滤箱，在过滤箱的底部安装有第二导流管，所述第二导流管的底端延伸至净化液存蓄箱内，所述过滤箱内设置有第一组件。

优选的，所述第一组件包括有无纺布过滤层、第一合成纤维过滤层、第二合成纤维过滤层和活性炭过滤层，所述第一合成纤维过滤层固定安装在无纺布过滤层的顶部，所述第二合成纤维过滤层固定安装在第一合成纤维过滤层的顶部，所述活性炭过滤层固定安装在第二合成纤维过滤层的顶部。

优选的，所述过滤箱的顶部两端固定安装有连接块，连接块上开设有连接孔，连接孔内设置有螺栓，螺栓穿过连接块与竖板上的螺栓孔螺接。