[实用新型]半导体结构及半导体封装有效
| 申请号： | 202121260747.2 | 申请日： | 2021-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN216749876U | 公开（公告）日： | 2022-06-14 |
| 发明（设计）人： | 黃建文;洪子晴;杨昌儒;鲍德 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L25/065;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 封装 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
裸片，其具有第一表面；
邻近所述第一表面的互连组件；以及
钝化结构，其在所述第一表面上且围绕所述互连组件，其中所述钝化结构包括：
第一介电体，其具有面向所述裸片的所述第一表面的第一侧以及与所述第一侧相对的第二侧；以及
第二介电体，其与所述第一介电体的所述第二侧接触。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第二介电体进一步与所述第一介电体的所述第一侧和所述裸片的所述第一表面接触。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，其中所述第二介电体进一步与所述互连组件和所述第一介电体的第三侧接触。
4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括在所述互连组件与所述第二介电体之间的衬垫，其中所述衬垫的顶部表面与所述第一介电体的所述第二侧横向对齐。
5.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括在所述互连组件与所述第二介电体之间的衬垫，其中所述衬垫的顶部表面与所述第二介电体与所述第一介电体的所述第二侧接触的部分共面。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一表面是所述裸片的背侧。
7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包括凸块下金属层，所述凸块下金属层与所述第二介电体接触。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述互连组件包括硅通孔和/或混合接合垫。
9.根据权利要求1-8任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第一介电体包括四乙氧基硅烷，且所述第二介电体包括氮化硅。
10.根据权利要求1-8任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述第二介电体的与所述第一介电体的所述第二侧接触的部分的厚度在从0.5μm到1.5μm的范围内。
11.一种半导体封装，其特征在于，包括：
第一裸片单元，其具有权利要求1所述的半导体结构；
接合线结构，其与互连组件和钝化结构接触；以及
第二裸片单元，其与所述第一裸片单元堆叠且电连接至所述第一裸片单元。
12.一种半导体封装，其特征在于，包括：
第一裸片单元，其具有权利要求1所述的半导体结构；以及
与所述第一裸片单元堆叠的第二裸片单元，所述第二裸片单元具有权利要求1所述的半导体结构，
其中所述第一裸片单元的第二介电体与所述第二裸片单元的第二介电体接触。
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