[实用新型]一种控制器电路结构

权利要求书

1.一种控制器电路结构，其特征在于：包括发电机、降压电路、整流电路、变压器、升压电路、三相桥式逆变电路和高压端口VBUS；

所述降压电路包括MOS管T3、MOS管T4、MOS管T7和MOS管T8，该MOS管T3的源极与MOS管T7的漏极相连，该MOS管T4的源极与该MOS管T8的漏极相连，所述MOS管T7的源极和所述MOS管T8的源极均与电池负极相连，所述MOS管T3的漏极和所述MOS管T4的漏极均与电池正极相连；

所述MOS管T3和所述MOS管T7的公共端与变压器初级线圈的第一端相连，该MOS管T4和MOS管T8的公共端与变压器初级线圈的第二端相连；

所述升压电路包括MOS管T1、MOS管T2、MOS管T5和MOS管T6，

所述MOS管T1的漏极和MOS管T2的漏极分别与高压端口VBUS相连；

所述MOS管T5的源极和MOS管T6的源极分别与接地端GND相连；

该MOS管T1和MOS管T5的公共端与变压器次级线圈的第一端相连，该MOS管T2和MOS管T6的公共端与变压器次级线圈的第二端相连；

所述高压端口VBUS分别与三相桥式逆变电路和所述整流电路的输入端相连，该三相桥式逆变电路的三相输出端分别与发电机对应的三相端相连；

该整流电路的三相输入端分别与发电机对应的三相端相连。

2.根据权利要求1所述一种控制器电路结构，其特征在于：所述三相桥式逆变电路包括晶体管Q1、晶体管Q2、晶体管Q3、晶体管Q4、晶体管Q5和晶体管Q6；

所述晶体管Q1的集电极与所述晶体管Q4的发射极相连，所述晶体管Q2的集电极与所述晶体管Q5的发射极相连，所述晶体管Q3的集电极与所述晶体管Q6的发射极相连；

所述晶体管Q1、晶体管Q2和晶体管Q3的发射极分别与高压端口VBUS相连；

所述晶体管Q4、晶体管Q5和晶体管Q6的集电极分别与接地端GND相连；

所述晶体管Q1和所述晶体管Q4的公共端分别与发电机的U相端相连；

所述晶体管Q2和所述晶体管Q5的公共端分别与发电机的V相端相连；

所述晶体管Q3和所述晶体管Q6的公共端分别与发电机的W相端相连；

该发电机的U相端、V相端和W相端还分别与可控硅整流电路的U相端口、V相端口和W相端口相连。

3.根据权利要求2所述一种控制器电路结构，其特征在于：在所述高压端口VBUS与接地端GND之间分别并联有电容C2和电容C1。

4.根据权利要求3所述一种控制器电路结构，其特征在于：所述电池正极与所述电池负极之间并联有电容C3和电容C4。