[实用新型]一种用于实现双面激光直写光刻的装置有效

专利信息
申请号: 202121272827.X 申请日: 2021-06-08
公开(公告)号: CN215006245U 公开(公告)日: 2021-12-03
发明(设计)人: 栾世奕;宋毅;桂成群;薛兆丰 申请(专利权)人: 矽万(上海)半导体科技有限公司;武汉大学
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 上海远同律师事务所 31307 代理人: 丁利华
地址: 200131 上海市浦东新区自由*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 实现 双面 激光 光刻 装置
【说明书】:

实用新型提供了一种用于实现双面激光直写光刻的装置,包括:用于支撑衬底的支架主体、用于限制衬底X方向位移的X方向调节螺丝、用于限制衬底Y方向位移的Y方向调节螺丝以及用于限制衬底Z方向位移的Z方向调节螺丝,所述支架主体由一底面及设置在所述底面上的边框构成,并且在所述边框内侧沿边框具有阶梯部,用于支撑衬底并限制衬底Z方向向下的自由度,所述衬底与所述支架主体通过间隙配合安装在一起。与现有技术相比,本实用新型的装置可以实现衬底上3D结构如微透镜阵列的双面制备。并且本实用新型的装置结构简单,制备成本低,并且可以适用于不同尺寸与形状的衬底。

技术领域

本实用新型涉及微纳光电子器件制造领域,特别涉及一种用于实现双面激光直写光刻的装置。

背景技术

激光直写光刻技术作为一种新型的无掩膜曝光技术已经在工业界得到了越来越广泛的应用。激光直写光刻技术的特点是可以在衬底上制备3D结构,如微透镜阵列。随着工业界对3D结构的光学特性提出了越来越高的要求,运用激光直写技术在衬底的正、反两面上都制备出3D结构对提高微纳光学器件的光学性能具有重要意义。

实用新型内容

本实用新型为了解决现有技术中的缺陷,提供了一种用于实现双面激光直写光刻的装置。

本实用新型的一种用于实现双面激光直写光刻的装置,包括:用于支撑衬底的支架主体、用于限制衬底X方向位移的X方向调节螺丝、用于限制衬底Y方向位移的Y方向调节螺丝以及用于限制衬底Z方向位移的Z方向调节螺丝,

所述支架主体由一底面及设置在所述底面上的边框构成,并且在所述边框内侧沿边框具有阶梯部,用于支撑衬底并限制衬底Z方向向下的自由度,所述衬底与所述支架主体通过间隙配合安装在一起,

所述X方向调节螺丝设置于所述支架主体的纵向边框上,其螺杆下表面部分与阶梯部接触,所述Y方向调节螺丝设置于所述支架主体的横向边框上,其螺杆下表面部分与阶梯部接触,

所述支架主体的横向边框及纵向边框连接处还具有向外延伸的角部,所述Z方向调节螺丝设置于所述角部,所述Z方向调节螺丝的螺杆部分垂直于底面并靠近阶梯部。

优选地,所述X方向调节螺丝、所述Y方向调节螺丝和所述Z方向调节螺丝为弹性材质。

优选地,所述X方向调节螺丝、所述Y方向调节螺丝和所述Z方向调节螺丝为橡胶材质。

优选地,所述Z方向调节螺丝运用螺丝头实现对衬底Z方向向上自由度的控制,从而配合所述支架主体对Z方向约束力进行调控

与现有技术相比,本实用新型具有如下有益效果:

1、可以实现衬底上3D结构的双面制备。

2、该装置结构简单,制备成本低,并且可以适用于不同尺寸与形状的衬底。

附图说明

图1(a)是本实用新型的用于实现双面激光直写光刻的装置的俯视结构示意图,图1(b)是图1(a)中A-A方向剖视图,图1(c)是图1(a)中B-B方向剖视图,图1(d)是图1(a)中C-C方向剖视图。

图2(a)、图2(b)、图2(c)和图2(d)是利用本实用新型的装置制备双凸面微透镜阵列的流程示意图,其中图2(a)为衬底显影后的示意图,图(b)为衬底放置在本实用新型装置上的示意图,图2(c)为对衬底背面进行图案化曝光的示意图,图2(d)为制备好的双凸微透镜阵列的示意图。

具体实施方式

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