[实用新型]场效应晶体管结电容损耗测试电路

权利要求书

1.一种场效应晶体管结电容损耗测试电路，其特征在于，所述测试电路包括：场效应晶体管、驱动模块、功率模块及测温模块，其中，

所述驱动模块为所述功率模块提供一组互补驱动信号；

所述功率模块基于一组互补驱动信号控制所述场效应晶体管结电容处于充电回路或放电回路，并为所述场效应晶体管结电容提供充电能量；

所述测温模块测量所述场效应晶体管的温度，以根据测量的温度得到场效应晶体管结电容的损耗。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管结电容损耗测试电路，其特征在于，所述功率模块包括：直流电源、第一电容、上开关及下开关，所述第一电容并联于所述直流电源的两端，所述上开关和所述下开关串联后再并联于所述直流电源的两端，且所述上开关和所述下开关的控制端受控于一组互补驱动信号。

3.根据权利要求2所述的场效应晶体管结电容损耗测试电路，其特征在于，所述上开关和所述下开关均为MOS管。

4.根据权利要求2所述的场效应晶体管结电容损耗测试电路，其特征在于，所述上开关和所述下开关均为继电器。

5.根据权利要求2-4任一项所述的场效应晶体管结电容损耗测试电路，其特征在于，在所述场效应晶体管为NMOS管时，其栅极与其源极短接并接地，其漏极与所述上开关和所述下开关的连接节点相连；在所述场效应晶体管为PMOS管时，其栅极与其源极短接并与所述上开关和所述下开关的连接节点相连，其漏极接地。

6.根据权利要求5所述的场效应晶体管结电容损耗测试电路，其特征在于，所述测试电路还包括：第一电阻，所述第一电阻连接于所述上开关和所述下开关的连接节点与所述场效应晶体管的漏极之间。

7.根据权利要求6所述的场效应晶体管结电容损耗测试电路，其特征在于，通过调整所述第一电阻的阻值来调整所述场效应晶体管结电容的充、放电电流。

8.根据权利要求2-4任一项所述的场效应晶体管结电容损耗测试电路，其特征在于，所述驱动模块包括：图腾柱电路、第二电容、变压器、第二电阻、第三电阻、第四电阻及第五电阻，所述图腾柱电路连接于电源电压和地之间，所述图腾柱电路的输入端接入脉宽输入信号，所述图腾柱电路的输出端通过所述第二电容与所述变压器初级绕组的一端相连，所述变压器初级绕组的另一端接地，所述变压器第一次级绕组的一端与所述第二电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端与所述第三电阻的一端相连并产生一互补驱动信号，所述第三电阻的另一端与所述变压器第一次级绕组的另一端及所述上开关和所述下开关的连接节点相连，所述变压器第二次级绕组的一端与所述第四电阻的一端相连，所述第四电阻的另一端与所述第五电阻的一端相连并产生另一互补驱动信号，所述第五电阻的另一端与所述变压器第二次级绕组的另一端及所述直流电源的负极相连。

9.根据权利要求8所述的场效应晶体管结电容损耗测试电路，其特征在于，通过调整所述第二电阻的阻值来调整所述上开关的开关速度，通过调整所述第四电阻的阻值来调整所述下开关的开关速度。

10.根据权利要求1所述的场效应晶体管结电容损耗测试电路，其特征在于，所述测温模块包括热电偶。