[实用新型]场效应晶体管结电容损耗测试电路

说明书

本实用新型提供一种场效应晶体管结电容损耗测试电路，所述测试电路包括：场效应晶体管、驱动模块、功率模块及测温模块，其中，所述驱动模块为所述功率模块提供一组互补驱动信号；所述功率模块基于一组互补驱动信号控制所述场效应晶体管结电容处于充电回路或放电回路，并为所述场效应晶体管结电容提供充电能量；所述测温模块测量所述场效应晶体管的温度，以根据测量的温度得到场效应晶体管结电容的损耗。通过本实用新型提供的场效应晶体管结电容损耗测试电路，解决了现有方法无法单独对场效应晶体管结电容损耗进行分析的问题。

技术领域

本实用新型涉及集成电路设计领域，特别是涉及一种场效应晶体管结电容损耗测试电路。

背景技术

场效应晶体管作为开关器件在使用过程中的损耗主要包括导通损耗和开关损耗，其中开关损耗与频率密切相关，频率越高，损耗越大，因此不利于系统向更高频率发展；采用零电压开启和零电流关断技术可以改善开关损耗的问题，但随着工作频率的提高，器件结电容损耗变得不容忽视。在每一个开关周期内，场效应晶体管结电容Coss要经历一次完整的充放电过程，最新的研究发现，结电容的充放电曲线并不重合，存在一个迟滞区域，表示每一次充放电过程均会损失一部分能量。

目前，场效应晶体管的开关损耗分析方法主要是在感性或阻性开关电路中测试电压和电流，通过电压电流曲线可以得到开关损耗。此方法将结电容损耗包含在开关损耗之中，无法单独对结电容损耗进行分析；而传统电容损耗角测试方法是通过电桥测试电容的等效电阻和等效容抗，再通过阻抗分析来对电容损耗进行分析，但由于场效应晶体管结电容随着电压变化而变化，无法准确地获得等效电阻和等效容抗，因此无法通过传统测试电容损耗角的方法来对结电容损耗进行分析。

实用新型内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种场效应晶体管结电容损耗测试电路，解决了现有无法单独对场效应晶体管结电容损耗进行分析的问题。

为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种场效应晶体管结电容损耗测试电路，所述测试电路包括：场效应晶体管、驱动模块、功率模块及测温模块，其中，

所述驱动模块为所述功率模块提供一组互补驱动信号；

所述功率模块基于一组互补驱动信号控制所述场效应晶体管结电容处于充电回路或放电回路，并为所述场效应晶体管结电容提供充电能量；

所述测温模块测量所述场效应晶体管的温度，以根据测量的温度得到场效应晶体管结电容的损耗。

可选地，所述功率模块包括：直流电源、第一电容、上开关及下开关，所述第一电容并联于所述直流电源的两端，所述上开关和所述下开关串联后再并联于所述直流电源的两端，且所述上开关和所述下开关的控制端受控于一组互补驱动信号。

可选地，所述上开关和所述下开关均为MOS管。

可选地，所述上开关和所述下开关均为继电器。

可选地，在所述场效应晶体管为NMOS管时，其栅极与其源极短接并接地，其漏极与所述上开关和所述下开关的连接节点相连；在所述场效应晶体管为PMOS管时，其栅极与其源极短接并与所述上开关和所述下开关的连接节点相连，其漏极接地。

可选地，所述测试电路还包括：第一电阻，所述第一电阻连接于所述上开关和所述下开关的连接节点与所述场效应晶体管的漏极之间。

可选地，通过调整所述第一电阻的阻值来调整所述场效应晶体管结电容的充、放电电流。