[实用新型]双向导通EDS二极管芯片有效
| 申请号： | 202121299118.0 | 申请日： | 2021-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN215183983U | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 袁强;贺晓金;陆超;周嵘;杜先兵;姚秋原;王博 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司（国营第八七三厂） |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L23/488 |
| 代理公司： | 贵州派腾知识产权代理有限公司 52114 | 代理人： | 张祥军 |
| 地址： | 550018 贵州省*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 双向 eds 二极管 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种双向导通EDS二极管芯片，其特征在于：包括N型衬底(4)，所述N型衬底(4)的正面设有两个并列的P区(3)，N型衬底(4)的正面覆盖有氧化层(2)，氧化层(2)上对应P区(3)设有两个并列的金属接点(1)，金属接点(1)穿过氧化层(2)并与P区(3)接触，N型衬底(4)的背面还设有背金属层(5)，背金属层(5)从N型衬底(4)开始依次为钛层、镍层、银层。
2.如权利要求1所述的双向导通EDS二极管芯片，其特征在于：所述N型衬底(4)、氧化层(2)、金属接点(1)的总厚度为200～250μm。
3.如权利要求2所述的双向导通EDS二极管芯片，其特征在于：所述氧化层(2)厚度为600～1000nm。
4.如权利要求1～3中任一条所述的双向导通EDS二极管芯片，其特征在于：所述氧化层(2)为氧化硅。
5.如权利要求1所述的双向导通EDS二极管芯片，其特征在于：所述金属接点(1)的厚度为3～5μm。
6.如权利要求5所述的双向导通EDS二极管芯片，其特征在于：所述金属接点(1)为铝。
7.如权利要求1所述的双向导通EDS二极管芯片，其特征在于：所述钛层、镍层、银层厚度依次为钛层80nm～100nm，镍层80nm～100nm，银层140nm～150nm。
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