[实用新型]双向导通EDS二极管芯片

说明书

本实用新型提供了一种双向导通EDS二极管芯片，包括N型衬底，N型衬底的正面设有两个并列的P区，N型衬底的正面覆盖有氧化层，氧化层上对应P区设有两个并列的金属接点，金属接点穿过氧化层并与P区接触，N型衬底的背面还设有背金属层，背金属层从N型衬底开始依次为钛层、镍层、银层。本实用新型构简单，制造时无需双面光刻，降低了工艺复杂性；封装时，可以通过背面粘接或焊接，结构稳定，且不会发生导通，可靠性高。通过在平面结构上横向集成了两个PN结，实现了浪涌电流抑制以及静电保护，双向稳压性能一致性好。

技术领域

本实用新型涉及双向二极管技术领域，具体涉及一种双向导通EDS二极管芯片。

背景技术

双向二极管被广泛应用到敏感器件的电压保护，双向二极管并联在被保护电路的前端，当外界突然输入一浪涌电流时，双向二极管内部产生雪崩击穿效应，由高阻抗态瞬间变为低阻抗态，可以在超短的时间吸收该电流，并把稳压值钳制到一固定电压值，以保护该双向二极管并联的电路不受浪涌电流的影响。

现有的双向二极管主要是纵向结构，制造时需要双向光刻，制造工艺较复杂。封装时，需要在芯片的底端或两端设置金属焊料，容易发生导通现象，存在封装可靠性的隐患。

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种双向导通EDS二极管芯片。

本实用新型通过以下技术方案得以实现。

本实用新型提供了一种双向导通EDS二极管芯片，包括N型衬底，所述N型衬底的正面设有两个并列的P区，N型衬底的正面覆盖有氧化层，氧化层上对应P区设有两个并列的金属接点，金属接点穿过氧化层并与P区接触，N型衬底的背面还设有背金属层，背金属层从N型衬底4开始依次为钛层、镍层、银层。

所述N型衬底、氧化层、金属接点的总厚度为200～250μm。

所述氧化层厚度为600～1000nm。

所述氧化层为氧化硅。

所述金属接点的厚度为3～5μm。

所述金属接点为铝。

所述钛层、镍层、银层厚度依次为钛层80nm～100nm，镍层80nm～100nm，银层140nm～150nm。

本实用新型的有益效果在于：

本实用新型构简单，制造时无需双面光刻，降低了工艺复杂性；另外，封装时，可以通过背面粘接或焊接，结构稳定，且不会发生导通，可靠性高。通过在平面结构上横向集成了两个PN结，实现了浪涌电流抑制以及静电保护，双向稳压性能一致性好。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

图中：1-金属接点；2-氧化层；3-P区；4-N型衬底；5-背金属层。

具体实施方式

下面进一步描述本实用新型的技术方案，但要求保护的范围并不局限于所述。

本实用新型提供了一种双向导通EDS二极管芯片，包括N型衬底4，所述N型衬底4的正面设有两个并列的P区3，N型衬底4的正面覆盖有氧化层2，氧化层2上对应P区3设有两个并列的金属接点1，金属接点1穿过氧化层2并与P区3接触，N型衬底的背面还设有背金属层，背金属层从N型衬底开始依次为钛层、镍层、银层。

封装时，在金属接点1上焊接电极引线，通过电极引线分别接至电极；用背金属层5通过金属烧焊固定在管壳上，提高结构强度，管壳外表面绝缘，或者将背金属层5用绝缘胶粘接在管壳上；管壳与电机引线之间绝缘。在电流方向上，该结构形成近似水平方向的“金属接点1—P区3—N型衬底4—P区3—金属接点1”的对称通路，无论电流方向是正向还是反向，均会遇到一个反向的PN结，从而使电压固定在一个固定范围内，保护电路。