[实用新型]一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路

权利要求书

1.一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，其特征在于，包括：

延时电路，增加死区时间，避免上下MOSFET管同时导通；

推挽输出电路，提高驱动能力和快速放电路径；

欠压电路，在驱动电压低于设计值时截止，防止驱动电压低造成MOSFET管炸管。

2.如权利要求1所述的具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，其特征在于，所述延时电路包括电阻R15、三极管Q9、电容C2和稳压管ZD3；

所述三极管Q9的集电极接稳压管ZD3的负极和电阻R15的一端，发射极接地，基极通过电阻R17接PWM信号；

所述电阻R15的另一端接15V电压；

所述电容C2并联在所述三极管Q9的集电极和发射极；

所述三极管Q9的基极和发射极还并联有电阻R16。

3.如权利要求2所述的具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，其特征在于，所述推挽输出电路包括三极管Q1和三极管Q2；所述三极管Q1的发射极与所述三极管Q2的发射极相连，所述三极管Q1的基极与所述三极管Q2的基极相连。

4.如权利要求3所述的具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，其特征在于，所述欠压电路包括电阻R7~R9、R20~R22，三极管Q4、Q5、Q10、Q11，二极管D2，D4和稳压管ZD1、ZD2、ZD4、ZD5；

电阻R7的一端接三极管Q5的集电极，另一端接稳压管ZD1的负极；稳压管ZD1的正极接三极管Q4的基极和电阻R8的一端；

三极管Q5的基极接电阻R9的一端，电阻R9的另一端接三极管Q4的集电极和稳压管ZD2的负极，三极管Q5的发射极接二极管D2的负极；二极管D2的正极接15V电压；

三极管Q4的发射极、电阻R8的另一端和稳压管ZD2的正极相连；

电阻R20的一端接三极管Q10的集电极，另一端接稳压管ZD4的负极；稳压管ZD4的正极接三极管Q11的基极和电阻R21的一端；

三极管Q10的基极接电阻R22的一端，电阻R22的另一端接三极管Q11的集电极和稳压管ZD5的负极，三极管Q10的发射极接二极管D4的负极；二极管D4的正极接15V电压；

三极管Q11的发射极、电阻R21的另一端和稳压管ZD5的正极均接地。

5.如权利要求4所述的具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，其特征在于，所述稳压管ZD3的正极连接三极管Q8的基极，三极管Q8的发射极接地，集电极连接电阻R13的一端和三极管Q7的基极；

三极管Q7的发射极接地，集电极连接电阻R12的一端和三极管Q6的基极；三极管Q6的集电极连接电阻R5的一端，电阻R5的另一端连接电阻R6的一端和三极管Q3的基极，电阻R6的另一端接三极管Q3的发射极；

三极管Q6的发射极通过电阻R11接地，三极管Q7的集电极和发射极还并联有电阻R10；电阻R13的另一端接15V电压；三极管Q8的基极和发射极还并联有电阻R14。

6.如权利要求5所述的具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，其特征在于，所述稳压管ZD2的正极通过电阻R3接二极管D1的正极，二极管D1的负极接电阻R2的一端，电阻R2的另一端和二极管D1的正极间连接有电阻R1。