[实用新型]一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路

说明书

本实用新型公开一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，属于MOSFET领域，包括延时电路、推挽输出电路和欠压电路；所述延时电路增加死区时间，避免上下MOSFET管同时导通；所述推挽输出电路提高驱动能力和快速放电路径；所述欠压电路在驱动电压低于设计值时截止，防止驱动电压低造成MOSFET管炸管。本实用新型采用延时导通，提高导通阈值，从而提高死区时间，避免上下管窜红短路；通过推挽输出，提高驱动能力，同时提供快速放电电路；采用驱动电压欠压检测电路，避免驱动电压降低后，造成MOSFET内阻增大，损耗增大，出现炸管现象。

技术领域

本实用新型涉及MOSFET技术领域，特别涉及一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路。

背景技术

MOSFET因其导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于各控制电路中。在控制电路中MOSFET开关速度不匹配容易造成MOSFET短路损坏，MOSFET的特性决定了其驱动电压不同，内阻不同，损耗不同。损耗过大，发热严重，容易造成炸机现象。

本电路增加延迟电路，驱动电压欠压保护电路，响应速度极快，可靠性高，从而避免炸机现象发生。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，以解决技术背景中的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种具有欠压保护的高效MOSFET互补驱动电路，包括：

延时电路，增加死区时间，避免上下MOSFET管同时导通；

推挽输出电路，提高驱动能力和快速放电路径；

欠压电路，在驱动电压低于设计值时截止，防止驱动电压低造成MOSFET管炸管。

可选的，所述延时电路包括电阻R15、三极管Q9、电容C2和稳压管ZD3；

所述三极管Q9的集电极接稳压管ZD3的负极和电阻R15的一端，发射极接地，基极通过电阻R17接PWM信号；

所述电阻R15的另一端接15V电压；

所述电容C2并联在所述三极管Q9的集电极和发射极；

所述三极管Q9的基极和发射极还并联有电阻R16。

可选的，所述推挽输出电路包括三极管Q1和三极管Q2；所述三极管Q1的发射极与所述三极管Q2的发射极相连，所述三极管Q1的基极与所述三极管Q2的基极相连。

可选的，所述欠压电路包括电阻R7~R9、R20~R22，三极管Q4、Q5、Q10、Q11，二极管D2，D4和稳压管ZD1、ZD2、ZD4、ZD5；

电阻R7的一端接三极管Q5的集电极，另一端接稳压管ZD1的负极；稳压管ZD1的正极接三极管Q4的基极和电阻R8的一端；

三极管Q5的基极接电阻R9的一端，电阻R9的另一端接三极管Q4的集电极和稳压管ZD2的负极，三极管Q5的发射极接二极管D2的负极；二极管D2的正极接15V电压；

三极管Q4的发射极、电阻R8的另一端和稳压管ZD2的正极相连；

电阻R20的一端接三极管Q10的集电极，另一端接稳压管ZD4的负极；稳压管ZD4的正极接三极管Q11的基极和电阻R21的一端；

三极管Q10的基极接电阻R22的一端，电阻R22的另一端接三极管Q11的集电极和稳压管ZD5的负极，三极管Q10的发射极接二极管D4的负极；二极管D4的正极接15V电压；

三极管Q11的发射极、电阻R21的另一端和稳压管ZD5的正极均接地。