[实用新型]一种半导体结构及半导体装置有效
| 申请号： | 202121394865.2 | 申请日： | 2021-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN215600375U | 公开（公告）日： | 2022-01-21 |
| 发明（设计）人： | 张钦福;程恩萍;冯立伟 | 申请（专利权）人： | 福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人： | 陈敏;吴昊 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 结构 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括有源区和浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区的上表面低于所述有源区的上表面；
堆叠结构，所述堆叠结构随形覆盖所述基底；
第一绝缘层，所述第一绝缘层随形覆盖所述堆叠结构；
第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖设置在所述浅沟槽隔离区上的所述第一绝缘层；
第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层的上表面与设置在所述有源区上的所述第一绝缘层的上表面处于相同的平面。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的材料不同。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第三绝缘层的刻蚀选择比大于所述第一绝缘层的刻蚀选择比且小于所述第二绝缘层的刻蚀选择比。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述堆叠结构包括：
介质层，所述介质层随形覆盖所述基底；
导电层，所述导电层设置在所述介质层上。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：绝缘间隔层，所述绝缘间隔层位于所述堆叠结构以及所述第一绝缘层的侧壁，所述第二绝缘层覆盖所述绝缘间隔层。
6.一种半导体装置，其特征在于，包括如上权利要求1至5中任意一项所述的半导体结构。
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