[实用新型]一种半导体结构及半导体装置

说明书

本实用新型公开了一种半导体结构及半导体装置，该结构包括设置有有源区和浅沟槽隔离区的基底，其中浅沟槽隔离区的上表面低于有源区的上表面；随形覆盖基底的堆叠结构；浅沟槽隔离区上还设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层、覆盖第一绝缘层的第二绝缘层和覆盖第二绝缘层的第三绝缘层；有缘区上设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层，该第一绝缘层上表面和第三绝缘层的上表面处于相同的平面。该结构可以提供具有平坦上表面的半导体结构，且避免了现有技术中通过研磨有源区上的第一绝缘层至与浅沟槽隔离区上的第一绝缘层水平来实现平坦化，提高了漏电的风险，降低了半导体器件工作的稳定性的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体装置。

背景技术

在现有的半导体结构制备过程中，通常需要进行多次平坦化工艺，以为后续工艺提供平坦的工作面。对于包括浅沟槽隔离区和有源区的基底，在对基底表面进行平坦化工艺时，因浅沟槽隔离区和有源区材料的不同，会造成浅沟槽隔离区的上表面低于有源区的上表面，从而后续沉积过程中也会共形形成堆叠结构以及遮蔽层。而为了给后续工艺提供平坦的工作面，通常需要对位于有源区上的遮蔽层进行研磨，从而使有源区上的遮蔽层变薄，极大的提高了漏电的风险，降低了半导体器件工作的稳定性。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是：如何提供一种具有平坦上表面的半导体结构，以降低漏电的风险提高半导体器件的稳定性。

为解决上述技术问题，本实用新型提供了一种半导体结构及半导体装置。

本实用新型的第一个方面，提供了一种半导体结构，其包括：

基底，所述基底包括有源区和浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区的上表面低于所述有源区的上表面；

堆叠结构，所述堆叠结构随形覆盖所述基底；

第一绝缘层，所述第一绝缘层随形覆盖所述堆叠结构；

第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖设置在所述浅沟槽隔离区上的所述第一绝缘层；

第三绝缘层，所述第三绝缘层设置在所述第二绝缘层上，所述第三绝缘层的上表面与设置在所述有源区上的所述第一绝缘层的上表面处于相同的平面。

在一些实施例中，所述第一绝缘层、所述第二绝缘层和所述第三绝缘层的材料不同。

在一些实施例中，所述第三绝缘层的刻蚀选择比大于所述第一绝缘层的刻蚀选择比且小于所述第二绝缘层的刻蚀选择比。

在一些实施例中，所述堆叠结构包括：

介质层，所述介质层随形覆盖所述基底；

导电层，所述导电层设置在所述介质层上。

在一些实施例中，所述半导体结构还包括：绝缘间隔层，所述绝缘间隔层位于所述堆叠结构以及所述第一绝缘层的侧壁，所述第二绝缘层覆盖所述绝缘间隔层。

本实用新型的第二个方面，提供了一种半导体装置，其包括如上任意一项所述的半导体结构。

与现有技术相比，上述方案中的一个或多个实施例可以具有如下优点或有益效果：

应用本实用新型提供的半导体结构，该结构包括设置有有源区和浅沟槽隔离区的基底，其中浅沟槽隔离区的上表面低于有源区的上表面；随形覆盖基底的堆叠结构；浅沟槽隔离区上还设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层、覆盖第一绝缘层的第二绝缘层和覆盖第二绝缘层的第三绝缘层；有缘区上设置有覆盖堆叠结构的第一绝缘层，该第一绝缘层上表面和第三绝缘层的上表面处于相同的平面。该结构可以提供具有平坦上表面的半导体结构，且避免了现有技术中通过研磨有源区上的第一绝缘层至与浅沟槽隔离区上的第一绝缘层水平来实现平坦化，提高了漏电的风险，降低了半导体器件工作的稳定性的问题。

附图说明