[实用新型]硅片清洗台及具有其的硅片清洗装置有效
申请号: | 202121397686.4 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN215418115U | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 殷俊 | 申请(专利权)人: | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 孙立波 |
地址: | 221004 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 清洗 具有 装置 | ||
1.一种硅片清洗台(100),其特征在于,所述硅片清洗台(100)用于承载硅片且包括:
基座(1),所述基座(1)形成有进液通道(111),所述进液通道(111)的一端具有进液口(1111);
第一限位柱(2),所述第一限位柱(2)为多个且沿所述进液口(1111)的周向间隔设于所述基座(1);
第二限位柱(3),所述第二限位柱(3)为多个且沿所述进液口(1111)的周向间隔设于所述基座(1),在所述进液口(1111)的径向上,多个所述第二限位柱(3)间隔位于多个所述第一限位柱(2)的外侧,在所述进液口(1111)的轴向上,所述第二限位柱(3)的远离所述基座(1)的一端端面间隔位于所述第一限位柱(2)的远离所述基座(1)的一侧。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述进液口(1111)贯穿所述基座(1)的上表面(14),所述第一限位柱(2)和所述第二限位柱(3)均设于所述基座(1)的上表面(14),所述基座(1)的上表面(14)为平面,在所述进液口(1111)的轴向上,所述第二限位柱(3)的长度大于所述第一限位柱(2)的长度。
3.根据权利要求2所述的硅片清洗台(100),其特征在于,在所述进液口(1111)的轴向上,所述第二限位柱(3)的长度与所述第一限位柱(2)的长度的差值2mm≤Δh≤5mm。
4.根据权利要求1所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述第一限位柱(2)和所述第二限位柱(3)的至少一个沿所述进液口(1111)的径向与所述基座(1)滑移配合。
5.根据权利要求1所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述基座(1)、所述第一限位柱(2)和所述第二限位柱(3)均为疏水材料件。
6.根据权利要求1-5中任一项所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述基座(1)包括:
第一基座(11),所述进液口(1111)形成于所述第一基座(11);
第二基座(12),所述第二基座(12)间隔设在所述第一基座(11)的径向外侧,且与所述第一基座(11)之间限定出排液通道(4);
连接件(13),所述连接件(13)与所述第一基座(11)和所述第二基座(12)分别固定相连。
7.根据权利要求6所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述第一限位柱(2)设于所述第一基座(11),所述第二限位柱(3)设于所述第二基座(12)。
8.根据权利要求6所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述连接件(13)设于所述排液通道(4)内,所述连接件(13)为多个且包括至少一组连接组,每组所述连接组包括沿所述进液口(1111)的周向间隔设置的多个所述连接件(13);
任选地,所述第一限位柱(2)和所述第二限位柱(3)均设于所述基座(1)的上表面(14),在所述进液口(1111)的轴向上,所述连接组为一组,所述连接组和所述基座(1)的上表面(14)之间的距离与所述基座(1)的轴向长度的比值满足1/3~2/3。
9.根据权利要求6所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述第一基座(11)对应于所述排液通道(4)的外周壁和所述第二基座(12)对应于所述排液通道(4)的内周壁中的至少一个为锥面。
10.一种硅片清洗装置,其特征在于,包括根据权利要求1-9中任一项所述的硅片清洗台(100)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造