[实用新型]硅片清洗台及具有其的硅片清洗装置有效

专利信息
申请号: 202121397686.4 申请日: 2021-06-22
公开(公告)号: CN215418115U 公开(公告)日: 2022-01-04
发明(设计)人: 殷俊 申请(专利权)人: 徐州鑫晶半导体科技有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67;H01L21/02
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 孙立波
地址: 221004 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 硅片 清洗 具有 装置
【权利要求书】:

1.一种硅片清洗台(100),其特征在于,所述硅片清洗台(100)用于承载硅片且包括:

基座(1),所述基座(1)形成有进液通道(111),所述进液通道(111)的一端具有进液口(1111);

第一限位柱(2),所述第一限位柱(2)为多个且沿所述进液口(1111)的周向间隔设于所述基座(1);

第二限位柱(3),所述第二限位柱(3)为多个且沿所述进液口(1111)的周向间隔设于所述基座(1),在所述进液口(1111)的径向上,多个所述第二限位柱(3)间隔位于多个所述第一限位柱(2)的外侧,在所述进液口(1111)的轴向上,所述第二限位柱(3)的远离所述基座(1)的一端端面间隔位于所述第一限位柱(2)的远离所述基座(1)的一侧。

2.根据权利要求1所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述进液口(1111)贯穿所述基座(1)的上表面(14),所述第一限位柱(2)和所述第二限位柱(3)均设于所述基座(1)的上表面(14),所述基座(1)的上表面(14)为平面,在所述进液口(1111)的轴向上,所述第二限位柱(3)的长度大于所述第一限位柱(2)的长度。

3.根据权利要求2所述的硅片清洗台(100),其特征在于,在所述进液口(1111)的轴向上,所述第二限位柱(3)的长度与所述第一限位柱(2)的长度的差值2mm≤Δh≤5mm。

4.根据权利要求1所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述第一限位柱(2)和所述第二限位柱(3)的至少一个沿所述进液口(1111)的径向与所述基座(1)滑移配合。

5.根据权利要求1所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述基座(1)、所述第一限位柱(2)和所述第二限位柱(3)均为疏水材料件。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述基座(1)包括:

第一基座(11),所述进液口(1111)形成于所述第一基座(11);

第二基座(12),所述第二基座(12)间隔设在所述第一基座(11)的径向外侧,且与所述第一基座(11)之间限定出排液通道(4);

连接件(13),所述连接件(13)与所述第一基座(11)和所述第二基座(12)分别固定相连。

7.根据权利要求6所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述第一限位柱(2)设于所述第一基座(11),所述第二限位柱(3)设于所述第二基座(12)。

8.根据权利要求6所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述连接件(13)设于所述排液通道(4)内,所述连接件(13)为多个且包括至少一组连接组,每组所述连接组包括沿所述进液口(1111)的周向间隔设置的多个所述连接件(13);

任选地,所述第一限位柱(2)和所述第二限位柱(3)均设于所述基座(1)的上表面(14),在所述进液口(1111)的轴向上,所述连接组为一组,所述连接组和所述基座(1)的上表面(14)之间的距离与所述基座(1)的轴向长度的比值满足1/3~2/3。

9.根据权利要求6所述的硅片清洗台(100),其特征在于,所述第一基座(11)对应于所述排液通道(4)的外周壁和所述第二基座(12)对应于所述排液通道(4)的内周壁中的至少一个为锥面。

10.一种硅片清洗装置,其特征在于,包括根据权利要求1-9中任一项所述的硅片清洗台(100)。

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