[实用新型]硅片清洗台及具有其的硅片清洗装置有效
申请号: | 202121397686.4 | 申请日: | 2021-06-22 |
公开(公告)号: | CN215418115U | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 殷俊 | 申请(专利权)人: | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 孙立波 |
地址: | 221004 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 清洗 具有 装置 | ||
本实用新型公开了一种硅片清洗台及具有其的硅片清洗装置,其中,硅片清洗台用于承载硅片,包括:基座、第一限位柱和第二限位柱,基座形成有进液通道,进液通道的一端具有进液口,第一限位柱为多个且沿进液口的周向间隔设于基座,第二限位柱为多个且沿进液口的周向间隔设于基座,在进液口的径向上,多个第二限位柱间隔位于多个第一限位柱的外侧,在进液口的轴向上,第二限位柱的远离基座的一端端面间隔位于第一限位柱的远离基座的一侧。本实用新型实施例的硅片清洗台,通过设置第一限位柱和第二限位柱可实现对不同尺寸的硅片进行限位,提高硅片清洗台的适用范围,节约成本,且第二限位柱对硅片进行限位时,第一限位柱不会接触硅片,提高清洗质量。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造设备技术领域,尤其是涉及一种硅片清洗台及具有其的硅片清洗装置。
背景技术
硅片,是一种半导体器件基础材料,由硅锭通过切割加工成具有一定厚度的片状基底材料。通过在基底材料上进行若干工序形成具有各种功能的半导体器件,是组成各种电子设备的基础。
半导体器件生产中硅片须经严格清洗,清洗的目的在于清除硅片表面杂质,目前一般采用超声波清洗槽清洗硅片,但超声波清洗槽只能对整批硅片进行清洗,无法对单个硅片进行清洗。
为解决上述问题,越来越多的制造厂家开始采用湿法清洗硅片,在采用湿法清洗硅片过程中,单片式清洗已成为主流技术,单片式清洗主要通过硅片清洗装置例如单片式清洗机实现,而在单片式清洗机中,硅片清洗台起着承载硅片和固定硅片的作用。但是,目前硅片清洗台只能限位单一尺寸的硅片,无法实现多尺寸硅片共用。
实用新型内容
本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本实用新型提出一种硅片清洗台,所述硅片清洗台可对多种尺寸的硅片进行清洗,适用范围广,解决了现有技术中硅片清洗台只适用于单一尺寸的硅片的技术问题。
本实用新型还旨在提出一种具有上述硅片清洗台的硅片清洗装置。
根据本实用新型实施例的硅片清洗台,所述硅片清洗台用于承载硅片且包括:基座,所述基座形成有进液通道,所述进液通道的一端具有进液口;第一限位柱,所述第一限位柱为多个且沿所述进液口的周向间隔设于所述基座;第二限位柱,所述第二限位柱为多个且沿所述进液口的周向间隔设于所述基座,在所述进液口的径向上,多个所述第二限位柱间隔位于多个所述第一限位柱的外侧,在所述进液口的轴向上,所述第二限位柱的远离所述基座的一端端面间隔位于所述第一限位柱的远离所述基座的一侧。
根据本实用新型实施例的硅片清洗台,通过在基座上设置多个第一限位柱和多个第二限位柱,且多个第二限位柱间隔位于多个第一限位柱的外侧,第一限位柱和第二限位柱可分别对不同尺寸的硅片进行限位,从而使得本申请的硅片清洗台可对不同尺寸的硅片进行清洗,提高硅片清洗台的适用范围,节约成本,且第二限位柱远离基座一端端面间隔位于第一限位柱远离基座的一侧,保证当第二限位柱对硅片进行限位时,第一限位柱不会接触硅片,使得硅片的清洁效果更佳,提高硅片清洗台的清洗质量。本申请的硅片清洗台,适用范围广且清洗质量好。
根据本实用新型的一些实施例,所述进液口贯穿所述基座的上表面,所述第一限位柱和所述第二限位柱均设于所述基座的上表面,所述基座的上表面为平面,在所述进液口的轴向上,所述第二限位柱的长度大于所述第一限位柱的长度。
可选地,在所述进液口的轴向上,所述第二限位柱的长度与所述第一限位柱的长度的差值2mm≤Δh≤5mm。
根据本实用新型的一些实施例,所述第一限位柱和所述第二限位柱的至少一个沿所述进液口的径向与所述基座滑移配合。
根据本实用新型的一些实施例,所述基座、所述第一限位柱和所述第二限位柱均为疏水材料件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造