[实用新型]一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构有效
| 申请号： | 202121398399.5 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN215342637U | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | 南琦;刘银 | 申请（专利权）人： | 木昇半导体科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;F16F15/023;F16F15/04;F16F15/08 |
| 代理公司： | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人： | 闫露露 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 缓冲 紫外 gan led 外延 结构 | ||
1.一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构，包括极紫外GaN基本体(1)和垫圈(2)，所述垫圈(2)复合在极紫外GaN基本体(1)外部，其特征在于：所述垫圈(2)外壁固定连接防护组件(3)，所述防护组件(3)由金属环(301)和橡胶环(302)组成，所述橡胶环(302)位于金属环(301)外部，所述防护组件(3)外部通过缓冲组件(4)固定连接防磨损组件(5)，所述缓冲组件(4)由面板(401)、导向杆(402)、套筒(403)、衬板(404)和弹簧(405)组成，所述导向杆(402)滑动插接在套筒(403)的开口端位置，所述弹簧(405)两端分别与面板(401)和衬板(404)固定连接。
2.根据权利要求1所述的一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构，其特征在于：所述套筒(403)固定连接在衬板(404)表面，所述弹簧(405)位于套筒(403)之间。
3.根据权利要求1所述的一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构，其特征在于：所述缓冲组件(4)为若干个，且圆周等距分布在防护组件(3)和防磨损组件(5)之间。
4.根据权利要求1所述的一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构，其特征在于：所述防磨损组件(5)由橡胶圈(501)、空腔(502)和弹性球(503)组成，所述空腔(502)设置在橡胶圈(501)内部，所述弹性球(503)活动连接在空腔(502)内部。
5.根据权利要求1所述的一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构，其特征在于：所述衬板(404)固定连接在橡胶圈(501)内壁。
6.根据权利要求1所述的一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构，其特征在于：所述面板(401)固定连接在防护组件(3)外壁。
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