[实用新型]一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构有效
申请号: | 202121398399.5 | 申请日: | 2021-06-23 |
公开(公告)号: | CN215342637U | 公开(公告)日: | 2021-12-28 |
发明(设计)人: | 南琦;刘银 | 申请(专利权)人: | 木昇半导体科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02;F16F15/023;F16F15/04;F16F15/08 |
代理公司: | 北京化育知识产权代理有限公司 11833 | 代理人: | 闫露露 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 具有 缓冲 紫外 gan led 外延 结构 | ||
本实用新型公开了一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构,包括极紫外GaN基本体和垫圈,所述垫圈复合在极紫外GaN基本体外部,所述垫圈外壁固定连接防护组件,所述防护组件由金属环和橡胶环组成,所述橡胶环位于金属环外部,所述防护组件外部通过缓冲组件固定连接防磨损组件,所述缓冲组件由面板、导向杆、套筒、衬板和弹簧组成,所述导向杆滑动插接在套筒的开口端位置。本实用新型当防磨损组件受到冲击发生磨损的时候,缓冲组件的导向杆相对套筒滑动,同时面板和衬板之间的弹簧受到挤压发生形变,减缓冲击力;当防磨损组件受到挤压的时候,橡胶圈的空腔发生形变,同时弹性球发生形变,具有很好的缓冲和防磨损效果。
技术领域
本实用新型涉及极紫外GaN基LED外延结构相关技术领域,具体为一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构。
背景技术
GaN即氮化镓,属第三代半导体材料,六角纤锌矿结构。GaN具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性,是现在世界上人们最感兴趣的半导体材料之一。gan基材料在高亮度蓝、绿、紫和白光二极管,蓝、紫色激光器以及抗辐射、高温大功率微波器件等领域有着广泛的应用潜力和良好的市场前景。LED外延片是一块加热至适当温度的衬底基片,材料是半导体照明产业技术发展的基石。不同的衬底材料,需要不同的LED外延片生长技术、芯片加工技术和器件封装技术,衬底材料决定了半导体照明技术的发展路线。
但是,现有的具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构在使用的时候存在以下缺点:
1、极紫外GaN基LED外延结构的外部防护效果不好,受到冲击的时候,其表面容易发生磨损或者破损的现象,影响使用效果,缩短使用寿命;
2、极紫外GaN基LED外延结构的外部结构简单,缓冲性能差。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构,以解决上述背景技术中的极紫外GaN基LED外延结构的外部防护效果不好,受到冲击的时候,其表面容易发生磨损或者破损的现象,影响使用效果,缩短使用寿命;极紫外GaN基LED外延结构的外部结构简单,缓冲性能差的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种具有双缓冲层的极紫外GaN基LED外延结构,包括极紫外GaN基本体和垫圈,所述垫圈复合在极紫外GaN基本体外部,所述垫圈外壁固定连接防护组件,所述防护组件由金属环和橡胶环组成,所述橡胶环位于金属环外部,所述防护组件外部通过缓冲组件固定连接防磨损组件,所述缓冲组件由面板、导向杆、套筒、衬板和弹簧组成,所述导向杆滑动插接在套筒的开口端位置,所述弹簧两端分别与面板和衬板固定连接,当防磨损组件受到冲击发生磨损的时候,缓冲组件的导向杆相对套筒滑动,同时面板和衬板之间的弹簧受到挤压发生形变,减缓冲击力;当防磨损组件受到挤压的时候,橡胶圈的空腔发生形变,同时弹性球发生形变,具有很好的缓冲和防磨损效果。
优选的,所述套筒固定连接在衬板表面,所述弹簧位于套筒之间,通过在防护组件和防磨损组件之间固定连接缓冲组件,当防磨损组件受到冲击发生磨损的时候,缓冲组件的导向杆相对套筒滑动,同时面板和衬板之间的弹簧受到挤压发生形变,减缓冲击力。
优选的,所述缓冲组件为若干个,且圆周等距分布在防护组件和防磨损组件之间,防磨损组件与冲击物体直接接触,防止极紫外GaN基本体外部直接发生磨损,延长使用寿命。
优选的,所述防磨损组件由橡胶圈、空腔和弹性球组成,所述空腔设置在橡胶圈内部,所述弹性球活动连接在空腔内部,当防磨损组件受到挤压的时候,橡胶圈的空腔发生形变,同时弹性球发生形变,具有很好的缓冲和防磨损效果。
优选的,所述衬板固定连接在橡胶圈内壁,通过衬板固定连接在橡胶圈内壁,便于把缓冲组件固定连接在防磨损组件内壁。
优选的,所述面板固定连接在防护组件外壁,通过面板固定连接在防护组件外壁,便于把缓冲组件固定连接在防护组件外壁。
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