[实用新型]一种半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

衬底；

一个或多个半导体裸芯，设置于所述衬底上；

模塑料，设置在所述衬底上，覆盖所述一个或多个半导体裸芯；

电磁屏蔽层，设置在所述模塑料上；

防翘曲层，设置在所述电磁屏蔽层上；

其中，所述防翘曲层的厚度大于所述电磁屏蔽层的厚度，所述电磁屏蔽层为连续层，所述防翘曲层包括镂空区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述防翘曲层和所述电磁屏蔽层的厚度比例大于1且小于6。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述电磁屏蔽层和所述防翘曲层分别包括导电层和保护层，所述导电层的材料包括铜、银或铝，所述保护层的材料包括不锈钢或陶瓷材料。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述电磁屏蔽层包括第一保护层、第一导电层和第二保护层，所述第一保护层覆盖所述模塑料，所述第一导电层覆盖所述第一保护层；所述第二保护层覆盖所述第一导电层。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述防翘曲层包括第三保护层、第二导电层和第四保护层，所述第三保护层设置在所述电磁屏蔽层的第二保护层上，所述第二导电层覆盖所述第三保护层；所述第四保护层覆盖所述第二导电层。

6.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述防翘曲层包括第二导电层和第三保护层，所述第二导电层覆盖所述第二保护层；所述第三保护层覆盖所述第二导电层。

7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述电磁屏蔽层包括第一保护层、第一导电层和第二保护层，所述第一保护层覆盖所述模塑料，所述第一导电层覆盖所述第一保护层，所述第一导电层的表面具有与所述镂空区域对应的凹槽区域；所述第二保护层覆盖所述凹槽区域；

所述防翘曲层包括第二导电层、第三保护层、第四保护层、第三导电层和第五保护层，所述第二导电层设置在所述第一导电层的非凹槽区域的表面上并与其形成一体，所述第三保护层覆盖所述第二导电层，所述第四保护层覆盖所述第三保护层，所述第三导电层覆盖所述第四保护层，所述第五保护层覆盖所述第三导电层。

8.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述电磁屏蔽层包括第一保护层、第一导电层和第二保护层，所述第一保护层设置在所述模塑料上，在对应于所述镂空区域的位置具有开口，所述第一导电层覆盖所述模塑料和所述第一保护层，所述第一导电层的表面具有与所述镂空区域对应的凹槽区域，所述第二保护层覆盖所述凹槽区域；

所述防翘曲层包括第二导电层、第三保护层、第三导电层和第四保护层，所述第二导电层设置在所述第一导电层的非凹槽区域的表面上并与其形成一体；所述第三保护层覆盖所述第二导电层，所述第三导电层覆盖所述第三保护层，所述第四保护层覆盖所述第三导电层。

9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述电磁屏蔽层的厚度在3～20μm之间。

10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述防翘曲层的厚度在3～20μm之间。