[实用新型]一种半导体装置

说明书

本实用新型公开了一种半导体装置。该半导体装置包括衬底、设置于衬底上的一个或多个半导体裸芯、设置在衬底上并覆盖一个或多个半导体裸芯的模塑料、设置在模塑料上的电磁屏蔽层以及设置在电磁屏蔽层上的防翘曲层。防翘曲层的厚度大于电磁屏蔽层的厚度。电磁屏蔽层为连续层。防翘曲层包括镂空区域。根据本实用新型，可以改善在模塑工艺后的半导体装置的翘曲程度。

技术领域

本实用新型涉及一种防翘曲的半导体装置。

背景技术

便携式消费电子器件需求的强劲增长推动了对高容量存储设备的需求。非易失性半导体存储装置，诸如闪存存储卡，已广泛用于满足对数字信息存储和交换的日益增长的需求。它们的便携性、多功能性和坚固耐用的设计以及它们的高可靠性和大容量，使得此类存储装置理想地用于多种电子设备中，包括例如数字相机、数字音乐播放器、视频游戏控制台、PDA和蜂窝电话。

在生产非易失性半导体存储装置以及对经过模塑工艺后的存储装置进行检测的过程中需要对其进行热处理工艺.这时半导体装置需要经受从低温到高温的环境变化，由于多种材料的热膨胀系数不同，使得不同区域随温度变化的形变不相同并引起局部弯曲应力，该弯曲应力使得半导体装置产生向上弯曲或向下弯曲的翘曲现象。因此需要寻找一种方案来改善半导体装置翘曲程度。

实用新型内容

本实用新型公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：衬底；一个或多个半导体裸芯，设置于衬底上；模塑料，设置在衬底上，覆盖一个或多个半导体裸芯；电磁屏蔽层，设置在模塑料上；防翘曲层，设置在电磁屏蔽层上。防翘曲层的厚度大于电磁屏蔽层的厚度，电磁屏蔽层为连续层，防翘曲层包括镂空区域。

在一个实施例中，防翘曲层和电磁屏蔽层的厚度比例大于1且小于6。

在一个实施例中，电磁屏蔽层和防翘曲层分别包括导电层和保护层，导电层的材料包括铜、银或铝。保护层的材料包括不锈钢或陶瓷材料。

在一个优选的实施例中，电磁屏蔽层包括第一保护层、第一导电层和第二保护层，第一保护层覆盖模塑料，第一导电层覆盖第一保护层；第二保护层覆盖第一导电层。

进一步地，防翘曲层包括第三保护层、第二导电层和第四保护层，第三保护层设置在电磁屏蔽层的第二保护层上，第二导电层覆盖第三保护层；第四保护层覆盖第二导电层。

进一步地，防翘曲层包括第二导电层和第三保护层，第二导电层覆盖第二保护层；第三保护层覆盖第二导电层，第二导电层和第三保护层包括镂空区域。

在一个优选的实施例中，电磁屏蔽层包括第一保护层、第一导电层和第二保护层，第一保护层覆盖模塑料，第一导电层覆盖第一保护层，第一导电层的表面具有与镂空区域对应的凹槽区域；第二保护层覆盖凹槽区域；防翘曲层包括第二导电层、第三保护层、第四保护层、第三导电层和第五保护层，第二导电层设置在第一导电层的非凹槽区域的表面上并与其形成一体，第三保护层覆盖第二导电层，第四保护层覆盖第三保护层，第三导电层覆盖第四保护层，第五保护层覆盖第三导电层，第二导电层、第三保护层、第四保护层、第三导电层和第五保护层包括镂空区域。

在一个优选的实施例中，电磁屏蔽层包括第一保护层、第一导电层和第二保护层，第一保护层设置在模塑料上，在对应于镂空图案的位置具有开口，第一导电层覆盖模塑料和第一保护层，第一导电层的表面具有与镂空区域对应的凹槽区域，第二保护层覆盖凹槽区域；防翘曲层包括第二导电层、第三保护层、第三导电层和第四保护层，第二导电层设置在第一导电层的非凹槽区域的表面上并与其形成一体；第三保护层覆盖第二导电层，第三导电层覆盖第三保护层，第四保护层覆盖第三导电层，第二导电层、第三保护层、第三导电层和第四保护层包括镂空区域。

在一个实施例中，电磁屏蔽的厚度在3～20μm之间。

在一个实施例中，防翘曲层的厚度在3～20μm之间。

根据本实用新型，可以改善在模塑工艺后的半导体装置的翘曲程度。