[实用新型]Taiko晶圆背面光刻掩具

说明书

一种Taiko晶圆背面光刻掩具，涉及半导体加工技术领域，该掩具包括能让紫外光线穿过的光刻掩版，及用于贴附在Taiko晶圆正面的可耐受180℃高温至少2小时的耐高温贴膜，并且耐高温贴膜能让365nm～1000nm的光波穿过；所述光刻掩版的下表面印制有能阻止紫外光线穿过的光刻图形，并且在光刻掩版的下表面开设有圆环形的晶圆环容纳槽，所述晶圆环容纳槽用于容纳Taiko晶圆的晶圆环，并且晶圆环容纳槽围住光刻掩版下表面的光刻图形。本实用新型提供的掩具，适合Taiko晶圆背面光刻使用。

技术领域

本实用新型涉及半导体加工技术，特别是涉及一种Taiko晶圆背面光刻掩具的技术。

背景技术

目前在超薄晶圆（厚度≤200um）背面制作光刻图形时，大多数都采用临时键合+研磨+背面光刻的方式，即将标准厚度的晶圆和玻璃通过键合胶压合在一起，然后研磨晶圆背面，使之减薄至设定的厚度，这种采用玻璃做载片的制作方式，存在制作工艺流程复杂，制作成本高及破片风险高的缺陷。业内极少采用Taiko晶圆制作背面光刻图形。这是由于Taiko晶圆存在着Taiko环，使得光刻掩具上的光刻图形与Taiko晶圆背面的光刻胶之间存在着较大间隙，容易产生离焦和图形变形的问题，上述缺陷会影响晶圆的光刻良品率。

实用新型内容

针对上述现有技术中存在的缺陷，本实用新型所要解决的技术问题是提供一种能提高晶圆的光刻良品率的Taiko晶圆背面光刻掩具。

为了解决上述技术问题，本实用新型所提供的一种Taiko晶圆背面光刻掩具，包括能让紫外光线穿过的光刻掩版，其特征在于：还包括用于贴附在Taiko晶圆正面的可耐受180℃高温至少2小时的耐高温贴膜，并且耐高温贴膜能让365nm～1000nm的光波穿过；

所述光刻掩版的下表面印制有能阻止紫外光线穿过的光刻图形，并且在光刻掩版的下表面开设有圆环形的晶圆环容纳槽，所述晶圆环容纳槽用于容纳Taiko晶圆的晶圆环，并且晶圆环容纳槽围住光刻掩版下表面的光刻图形。

本实用新型提供的Taiko晶圆背面光刻掩具，可以利用耐高温贴膜提高Taiko晶圆薄片的机械强度，能防止Taiko晶圆薄片在取放过程中发生裂片及光刻过程中产生受损，而且在光刻掩版的下表面开设有可以容纳Taiko环的晶圆环容纳槽，从而能保证光刻掩版下表面的光刻图形能与Taiko晶圆背面的光刻胶贴合，能避免传统光刻制程中因光刻图形与光刻胶存在过大间隙而导致的离焦和图形变形问题，能提高晶圆的光刻良品率。

附图说明

图1是本实用新型实施例的Taiko晶圆背面光刻掩具的仰视图；

图2是本实用新型实施例的Taiko晶圆背面光刻掩具中，光刻掩版、耐高温贴膜与Taiko晶圆的主视剖切图；

图3是本实用新型实施例的Taiko晶圆背面光刻掩具的使用示意图。

具体实施方式

以下结合附图说明对本实用新型的实施例作进一步详细描述，但本实施例并不用于限制本实用新型，凡是采用本实用新型的相似结构及其相似变化，均应列入本实用新型的保护范围，本实用新型中的顿号均表示和的关系。

如图1-图3所示，本实用新型实施例所提供的一种Taiko晶圆背面光刻掩具，包括能让紫外光线穿过的光刻掩版1，及用于贴附在Taiko晶圆3正面的可耐受180℃高温至少2小时的耐高温贴膜5，并且耐高温贴膜5能让365nm～1000nm的光波穿过；

所述光刻掩版1的下表面印制有能阻止紫外光线穿过的光刻图形，并且在光刻掩版1的下表面开设有圆环形的晶圆环容纳槽2，所述晶圆环容纳槽2用于容纳Taiko晶圆3的晶圆环4，并且晶圆环容纳槽2围住光刻掩版下表面的光刻图形。

本实用新型实施例用于Taiko晶圆背面光刻制程使用，其使用方法如下：