[实用新型]半导体激光器TO制冷封装结构有效
| 申请号： | 202121476025.0 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN215816820U | 公开（公告）日： | 2022-02-11 |
| 发明（设计）人： | 刘永康;刘倚红;王任凡 | 申请（专利权）人： | 武汉敏芯半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02212 | 分类号： | H01S5/02212;H01S5/0232;H01S5/02315;H01S5/024;H01S5/026;H01S5/02355 |
| 代理公司： | 北京中强智尚知识产权代理有限公司 11448 | 代理人： | 焦禹 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体激光器 to 制冷 封装 结构 | ||
1.一种半导体激光器TO制冷封装结构，其特征在于，包括：
底座，所述底座上设置有热电制冷器；
第一氮化铝陶瓷块，立设于所述热电制冷器上；
第二氮化铝陶瓷块，水平设置于所述热电制冷器上；
激光器芯片，通过氮化铝载板固定于所述第一氮化铝陶瓷块上与所述第二氮化铝陶瓷块相邻的侧立面上；
背光监控探测器芯片，设置于所述第二氮化铝陶瓷块的顶面上。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器TO制冷封装结构，其特征在于，
所述第二氮化铝陶瓷块的轮廓形状和尺寸大小与所述背光监控探测器芯片的轮廓形状和尺寸大小相适配。
3.根据权利要求1所述的半导体激光器TO制冷封装结构，其特征在于，
所述第二氮化铝陶瓷块的顶面为倾斜面，所述倾斜面朝向所述热电制冷器的方向以及远离所述第一氮化铝陶瓷块的方向倾斜设置。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器TO制冷封装结构，其特征在于，
所述倾斜面的倾斜角度为7度。
5.根据权利要求1所述的半导体激光器TO制冷封装结构，其特征在于，
所述第一氮化铝陶瓷块和第二氮化铝陶瓷块分别通过第一导电层贴设于所述热电制冷器上。
6.根据权利要求1所述的半导体激光器TO制冷封装结构，其特征在于，
所述背光监控探测器芯片通过第二导电层贴设于所述第二氮化铝陶瓷块的顶面；
所述氮化铝载板包括本体和设置于所述本体上的焊料片；
所述激光器芯片通过所述焊料片焊接于所述本体上，所述本体通过第三导电层贴设于所述第一氮化铝陶瓷块上。
7.根据权利要求1所述的半导体激光器TO制冷封装结构，其特征在于，还包括：
第一电容和第二电容，分别设置于所述第一氮化铝陶瓷块上与所述第二氮化铝陶瓷块相邻的侧立面上，且分别与所述氮化铝载板电连接。
8.根据权利要求7所述的半导体激光器TO制冷封装结构，其特征在于，
所述第一电容和第二电容分别通过第四导电层贴设于所述第一氮化铝陶瓷块上与所述第二氮化铝陶瓷块相邻的侧立面上。
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