[实用新型]半导体激光器TO制冷封装结构

说明书

本实用新型公开了一种半导体激光器TO制冷封装结构，涉及芯片封装技术领域，主要目的是降低封装结构的加工制作难度及成本。该半导体激光器TO制冷封装结构包括底座，所述底座上设置有热电制冷器；第一氮化铝陶瓷块，立设于所述热电制冷器上；第二氮化铝陶瓷块，水平设置于所述热电制冷器上；激光器芯片，通过氮化铝载板固定于所述第一氮化铝陶瓷块上与所述第二氮化铝陶瓷块相邻的侧立面上；背光监控探测器芯片，设置于所述第二氮化铝陶瓷块的顶面上。

技术领域

本实用新型涉及芯片封装技术领域，尤其是涉及到一种半导体激光器TO制冷封装结构。

背景技术

半导体激光器具有体积小、重量轻、效率高等优点，在光通信等领域得到了较为广泛的应用。

目前，半导体激光器可以采用TO制冷封装形式，其通常包括金属基座，设置在金属基座上的热电制冷器，以及设置在热电制冷器上的钨铜块，为了贴装背光监控探测器芯片，用于监控产品的背光，通常将钨铜块设置为一体成型的L形，并将背光监控探测器芯片设置在钨铜块的横向部分上，而激光器芯片设置在钨铜块的纵向部分上。

然而，采用上述L形钨铜块，不仅加工制作复杂且成本较高。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种半导体激光器TO制冷封装结构，主要目的是降低封装结构的加工制作难度及成本。

为达到上述目的，本实用新型实施例主要提供如下技术方案：

本实用新型实施例提供了一种半导体激光器TO制冷封装结构，包括：

底座，所述底座上设置有热电制冷器；

第一氮化铝陶瓷块，立设于所述热电制冷器上；

第二氮化铝陶瓷块，水平设置于所述热电制冷器上；

激光器芯片，通过氮化铝载板固定于所述第一氮化铝陶瓷块上与所述第二氮化铝陶瓷块相邻的侧立面上；

背光监控探测器芯片，设置于所述第二氮化铝陶瓷块的顶面上。

进一步地，所述第二氮化铝陶瓷块的轮廓形状和尺寸大小与所述背光监控探测器芯片的轮廓形状和尺寸大小相适配。

进一步地，所述第二氮化铝陶瓷块的顶面为倾斜面，所述倾斜面朝向所述热电制冷器的方向以及远离所述第一氮化铝陶瓷块的方向倾斜设置。

进一步地，所述倾斜面的倾斜角度为7度。

进一步地，所述第一氮化铝陶瓷块和第二氮化铝陶瓷块分别通过第一导电层贴设于所述热电制冷器上。

进一步地，所述背光监控探测器芯片通过第二导电层贴设于所述第二氮化铝陶瓷块的顶面；

所述氮化铝载板包括本体和设置于所述本体上的焊料片；

所述激光器芯片通过所述焊料片焊接于所述本体上，所述本体通过第三导电层贴设于所述第一氮化铝陶瓷块上。

进一步地，所述的半导体激光器TO制冷封装结构还包括：

第一电容和第二电容，分别设置于所述第一氮化铝陶瓷块上与所述第二氮化铝陶瓷块相邻的侧立面上，且分别与所述氮化铝载板电连接。

进一步地，所述第一电容和第二电容分别通过第四导电层贴设于所述第一氮化铝陶瓷块上与所述第二氮化铝陶瓷块相邻的侧立面上。

借由上述技术方案，本实用新型至少具有以下有益效果：