[实用新型]一种还原炉底座有效
申请号: | 202121485040.1 | 申请日: | 2021-06-30 |
公开(公告)号: | CN215592627U | 公开(公告)日: | 2022-01-21 |
发明(设计)人: | 杨明财;张宝顺;张婧;任长春;宗冰 | 申请(专利权)人: | 青海亚洲硅业半导体有限公司;亚洲硅业(青海)股份有限公司;青海省亚硅硅材料工程技术有限公司 |
主分类号: | C01B33/035 | 分类号: | C01B33/035 |
代理公司: | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人: | 张巨箭 |
地址: | 810007 青*** | 国省代码: | 青海;63 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 还原 底座 | ||
本实用新型公开了一种还原炉底座,属于多晶硅领域,包括底盘(1),底盘(1)上设有若干电极(2)、若干进料喷嘴(3)和出气口(4);底盘(1)表面设有第一涂层(11),电极(2)表面设有第二涂层(21),进料喷嘴(3)表面设有第三涂层(31),所述出气口(4)处设有第四涂层(41);所述第一涂层(11)、第三涂层(31)和第四涂层(41)均为耐磨蚀涂层,所述第二涂层(21)为高绝缘涂层。本实用新型通过在底盘(1)、电极(2)、进料喷嘴(3)和出气口(4)周围表面设涂层,有效避免硅粉颗粒对底盘(1)以及进料喷嘴(3)的磨蚀,防止高压对电极(2)周围绝缘体的击穿,提高了还原炉的稳定性以及硅棒的纯度。
技术领域
本实用新型涉及多晶硅领域,尤其涉及一种还原炉底座。
背景技术
多晶硅还原炉主要由底盘和炉体组成,其中底盘是还原炉的核心部件,底盘的结构和材料性能直接影响着硅棒的生长质量和还原能耗。底盘上还设置有电极连接装置、物料进出气装置和冷却装置。多晶硅还原炉底盘和进料喷嘴的主要材质为不锈钢,电极周围设置绝缘体。启炉点亮硅芯时,由于击穿硅芯的电压高达六千多伏,很容易击穿电极周围的绝缘体,导致炉子不能正常运行。硅棒生长过程中,还会产生大量的硅颗粒,硅颗粒随气体流动,对底盘及喷嘴造成一定的磨蚀,产生的金属随着沉积过程进入到硅棒中,导致硅棒杂质含量升高。
业界普遍认为在底盘表面制备一层高纯银涂层可以有效解决这一问题。但由于多晶硅底盘复杂的多孔结构,传统爆炸焊银/不锈钢复合板制备还原炉底盘涂层非常困难,同时存在成本过高的问题;若利用电刷镀、热喷涂、冷喷涂等方法直接在底盘表面上制备银涂层,其结合强度较低、热震性能差,在还原炉使用过程中,由于炉内的高温、腐蚀气氛、气体冲刷以及还原炉清洗操作均会破坏银涂层,导致银涂层快速耗散或者容易脱落,从而失去保护效果,存在使用寿命过短的问题。由上可知,单纯银涂层存在的缺陷局限了还原炉稳定生产的发展。
因此,如何针对还原炉底盘设计结构更为合理的底盘,使其能够解决前述存在的问题成为当前急需解决的问题。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术中还原炉底盘容易受到磨蚀、电极周围的绝缘体容易被高电压击穿等问题,提供了一种还原炉底座。
本实用新型的目的是通过以下技术方案来实现的:
提供一种还原炉底座,所述底盘上设有若干电极、若干进料喷嘴和出气口;所述底盘表面设有第一涂层,所述电极表面设有第二涂层,所述进料喷嘴表面设有第三涂层,所述出气口处设有第四涂层;
所述第一涂层、第三涂层和第四涂层均为耐磨蚀涂层,所述第二涂层为高绝缘涂层。
优选地,一种还原炉底座,所述第一涂层的厚度为0.05mm-4mm。
优选地,一种还原炉底座,所述第三涂层和第四涂层的厚度为0.03mm-2mm。
优选地,所述第一涂层、第三涂层和第四涂层为易导热涂层。
优选地,一种还原炉底座,所述第二涂层的厚度为0.01mm-5mm。
优选地,一种还原炉底座,所述第一涂层、第三涂层、第四涂层均包括碳化钨。
优选地,一种还原炉底座,所述第二涂层包括氧化铝。
优选地,一种还原炉底座,所述第一涂层、第二涂层、第三涂层和第四涂层均由涂层颗粒组成,所述涂层颗粒包括有棱角的粉末、球形粉末和椭球型粉末。
优选地,一种还原炉底座,所述涂层颗粒的粒径为0.1μm-10μm。
优选地,一种还原炉底座,所述电极旁边设置有进料喷嘴,所述电极外侧接触的底盘上设有绝缘体。
优选地,一种还原炉底座,所述底盘为不锈钢底盘或碳钢底盘,所述进料喷嘴为不锈钢喷嘴或碳钢喷嘴,所述电极为铜电极。
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