[实用新型]一种晶片的气体清洁装置

说明书

本申请公开了一种晶片的气体清洁装置，属于半导体材料清洁技术领域。该装置包括壳体，所述晶片与所述壳体抵接，以使得所述晶片与壳体之间形成密封腔，所述密封腔内设置进气口和出气口，清洁气体自所述进气口进入所述密封腔，并传输至所述晶片表面后经所述出气口流出；和加热组件，所述加热组件置于所述壳体外侧，用于加热进入所述密封腔内的清洁气体。使用该清洁装置，将晶片放置于壳体内，使得晶片和壳体之间形成密封腔，在该密封腔内通入清洁气体，利用清洁气体对晶片表面进行清洁，并且使用加热组件对清洁气体进行加热，提高晶片的清洁效率、清洁度和晶片的使用性能。

技术领域

本申请涉及一种晶片的气体清洁装置，具体涉及一种碳化硅晶片的气体清洁装置，属于半导体材料清洁技术领域。

背景技术

碳化硅晶体由于其优异的耐击穿、高热导率和高饱和电子迁移率等特性，是继硅、砷化镓之后的第三代半导体材料代表之一。利用碳化硅制备的电子器件导热性好，强度及抗辐射能力强，目前已经广泛应用到医疗、航空、汽车、道路交通等技术领域。

现有的碳化硅晶体需要往往要经过切割得到碳化硅晶片，对该碳化硅晶片研磨和抛光后才能使用，但是研磨和抛光过程中往往会造成晶片的污染，使晶片表面附着有污染颗粒，该污染颗粒会影响碳化硅晶片的导电性能，因此必须对碳化硅晶片进行冲洗才能使用。现有的晶片清洗装置往往使用清洁液对晶片进行液体清洗，而液体清洗效果有限，并且会造成碳化硅晶片表面存在水渍，影响碳化硅晶片的后续使用。

实用新型内容

为了解决上述问题，本申请提出了一种晶片的气体清洁装置，该清洁装置将晶片放置于壳体内，使得晶片和壳体之间形成密封腔，在该密封腔内通入清洁气体，利用清洁气体对晶片表面进行清洁，并且使用加热组件对清洁气体进行加热，提高晶片的清洁效率、清洁度和晶片的使用性能。

根据本申请的一个方面，提供了一种晶片的气体清洁装置，该装置包括：

壳体，所述晶片与所述壳体抵接，以使得所述晶片与壳体之间形成密封腔，所述密封腔内设置进气口和出气口，清洁气体自所述进气口进入所述密封腔，并传输至所述晶片表面后经所述出气口流出；和

加热组件，所述加热组件置于所述壳体外侧，用于加热进入所述密封腔内的清洁气体。

可选地，所述加热组件套设在所述壳体外侧，所述加热组件与所述壳体共中心轴线设置。

可选地，所述壳体为圆筒状或方形。

可选地，所述加热组件为感应加热线圈，所述感应加热线圈与所述壳体的形状相适配。

可选地，所述进气口设置在所述壳体的底部，所述晶片与所述晶片下方的壳体之间形成密封腔，所述出气口设置在所述晶片下方的壳体侧壁上。

可选地，所述壳体的顶部开口设置，所述晶片放置于所述壳体的开口处与所述壳体的上端面抵接，用于密封所述壳体；或

所述壳体顶部密封，所述壳体的侧壁上沿所述壳体的径向平面开设有开口，所述晶片通过所述开口放置于所述壳体内，并与所述壳体的内侧壁抵接，用于密封所述晶片下方的壳体。

可选地，还包括晶片托盘，所述晶片固定于所述晶片托盘上，所述晶片托盘与所述开口卡合，用于密封所述开口并将所述晶片固定于所述晶片托盘和壳体之间。

可选地，所述开口为多个，所述晶片托盘的形状与所述开口的形状相适配。

可选地，所述晶片托盘的内侧壁设置有第一卡槽，所述壳体的内侧壁上设置有第二卡槽，所述晶片托盘与所述开口卡合，以使得所述晶片固定于所述第一卡槽和第二卡槽之间。

可选地，所述出气口顶部与所述晶片的距离和所述进气口与所述晶片的距离比为1:5-1500。

优选的，所述出气口与所述晶片的距离为0-10mm,所述进气口与所述晶片的距离为50-1500mm。