[实用新型]晶圆转移装置及固晶机有效
申请号: | 202121508643.9 | 申请日: | 2021-07-02 |
公开(公告)号: | CN215183900U | 公开(公告)日: | 2021-12-14 |
发明(设计)人: | 邓应铖;曾逸 | 申请(专利权)人: | 深圳市卓兴半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L21/683;H01L21/60 |
代理公司: | 深圳智汇远见知识产权代理有限公司 44481 | 代理人: | 李俊;王旭 |
地址: | 518000 广东省深圳市宝安*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 转移 装置 固晶机 | ||
本实用新型涉及半导体加工技术领域,具体涉及一种晶圆转移装置及固晶机,固晶机包括晶圆转移装置,晶圆转移装置包括供晶机构、固晶机构以及转移机构,供晶机构具有取晶部,固晶机构具有固晶部,转移机构包括转盘及固定在转盘上的多个吸取组件,取晶部和固晶部均位于转盘的工作范围内,多个吸取组件围绕转盘的旋转轴线设置,转盘能够转动,以使得多个吸取组件依次经过取晶部和固晶部,且当其中一个吸取组件位于取晶部时,相对的另外一个吸取组件位于固晶部。该晶圆转移装置,在晶圆的转移过程中,通过转盘上的多个吸取组件相互配合,实现取晶、固晶协同操作,一边取晶一边固晶,有效提高了晶圆的转移效率,从而提高了固晶速度,降低了固晶成本。
技术领域
本实用新型涉及半导体加工技术领域,具体涉及一种晶圆转移装置及固晶机。
背景技术
近年来,随着半导体工艺的快速发展,半导体在日常生活领域中的应用也越来越广泛,于是,随着半导体需求的与日俱增,对半导体的生产效率及生产品质亦是提出了更高的要求。在半导体的加工过程中,其中一道比较重要的工序是对晶圆进行转移,在此工序中,可通过晶圆转移装置吸取粘在薄膜上的晶圆后再转移到指定位置,从而完成固晶作业。
然而,对于现有固晶机的晶圆转移装置,一般是将晶圆一个一个进行转移固晶,由于晶圆转移装置一次只能吸取及转移一个晶圆,这会造成晶圆转移效率低,固晶速度慢,增加了固晶成本。
实用新型内容
本实用新型的主要目的是:提供一种晶圆转移装置及固晶机,旨在解决现有固晶机的晶圆转移装置转移效率低,固晶速度慢,增加了固晶成本的问题。
为了实现上述技术问题,本实用新型提供了一种晶圆转移装置,晶圆转移装置包括供晶机构、固晶机构以及转移机构,所述供晶机构具有取晶部,所述固晶机构具有固晶部,所述转移机构包括转盘及固定在所述转盘上的多个吸取组件,所述取晶部和所述固晶部均位于所述转盘的工作范围内,多个所述吸取组件围绕所述转盘的旋转轴线设置,所述转盘能够转动,以使得多个所述吸取组件依次经过所述取晶部和所述固晶部,且当其中一个所述吸取组件位于所述取晶部时,相对的另外一个所述吸取组件位于所述固晶部。
可选地,多个所述吸取组件围绕所述转盘的旋转轴线均匀设置在所述转盘上。
可选地,所述吸取组件包括驱动件及吸嘴,所述驱动件固定在所述转盘的下方并连接所述吸嘴,所述驱动件能够驱动所述吸嘴上下移动。
可选地,所述供晶机构还包括第一载台及固定在所述第一载台上的晶圆环,所述晶圆环内具有所述取晶部。
可选地,所述供晶机构还包括第一调整结构及第二调整结构,所述第一调整结构调整所述第一载台在第一方向上的位置,所述第二调整结构调整所述第一载台在第二方向上的位置,其中,所述第一方向垂直于所述第二方向。
可选地,所述固晶机构还包括第二载台,所述第二载台的上表面具有所述固晶部。
可选地,所述固晶机构还包括第三调整结构及第四调整结构,所述第三调整结构调整所述第二载台在第一方向上的位置,所述第四调整结构调整所述第二载台在第二方向上的位置,其中,所述第一方向垂直于所述第二方向。
可选地,所述晶圆转移装置还包括底座及架设在所述底座上的支架,所述供晶机构及所述固晶机构分别固定在所述底座上并位于所述支架的下方,所述转移机构转动设置在所述支架上。
可选地,所述晶圆转移装置包括两个所述供晶机构,所述固晶机构设置在两个所述供晶机构之间,且所述转移机构设置有两个,两个所述转移机构分别对应两个所述供晶机构设置并共用同一所述固晶机构。
另外,本实用新型还提供了一种固晶机,固晶机包括如上述任意一项所述的晶圆转移装置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造