[实用新型]一种IGBT门极驱动电路有效
| 申请号： | 202121530207.1 | 申请日： | 2021-07-06 |
| 公开（公告）号： | CN215581091U | 公开（公告）日： | 2022-01-18 |
| 发明（设计）人： | 吴晓光;傅俊寅;汪之涵;黄辉 | 申请（专利权）人： | 深圳青铜剑技术有限公司 |
| 主分类号： | H03K17/567 | 分类号： | H03K17/567 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市坪山区坑梓街*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 igbt 驱动 电路 | ||
1.一种IGBT门极驱动电路，所述电路包括控制信号端、开通MOSFET管(Q1)、关断MOSFET管(Q2)，所述开通MOSFET管(Q1)的漏极与所述关断MOSFET管(Q2)的漏极电连接，并均与IGBT的门极电连接，所述开通MOSFET管(Q1)的源极电连接正压端，所述关断MOSFET管(Q2)的源极电连接负压端，其特征在于，所述IGBT门极驱动电路还包括：
开关切换模块，所述开关切换模块的输入端与所述控制信号端电连接，所述开关切换模块的输出端电连接于所述开通MOSFET管(Q1)的栅极及所述关断MOSFET管(Q2)的栅极，所述开关切换模块用于根据所述PWM信号控制所述开通MOSFET管(Q1)及所述关断MOSFET管(Q2)的导通和关断；所述开通MOSFET管(Q1)和所述关断MOSFET管(Q2)中的一个处于导通状态时，另一个处于关断状态；
第一采样模块，所述第一采样模块的输入端电连接于所述开通MOSFET管(Q1)的源极，用于在所述开通MOSFET管(Q1)导通时对流经所述开通MOSFET管(Q1)的电流进行采样，并根据采样结果输出对应的第一电压信号；
第一放大模块，所述第一放大模块的第一输入端与所述第一采样模块的输出端电连接，所述第一放大模块的第二输入端电与所述控制信号端电连接，所述第一放大模块的输出端电连接于所述开通MOSFET管(Q1)的栅极，所述第一放大模块用于根据所述PWM信号调整放大比例系数，并对所述第一采样模块输出的第一电压信号进行放大，以输出对应的第一控制信号，所述第一控制信号用于控制所述开通MOSFET管(Q1)的导通状态，以控制IGBT的开通时的门极电流；
第二采样模块，所述第二采样模块的输入端电连接于所述关断MOSFET管的源极，用于在所述关断MOSFET管(Q2)导通时对流经所述关断MOSFET管(Q2)的电流进行采样，并根据采样结果输出对应的第二电压信号；
第二放大模块，所述第二放大模块的第一输入端所述第二采样模块的输出端电连接，所述第二放大模块的第二输入端电与所述控制信号端电连接，所述第二放大模块的输出端电连接于所述关断MOSFET管(Q2)的栅极，所述第二放大模块用于根据所述PWM信号调整放大比例系数，并对所述第二采样模块输出的第二电压信号进行放大，以输出对应的第二控制信号，所述第二控制信号用于控制所述关断MOSFET管(Q2)的导通状态，以控制IGBT的关断时的门极电流。
2.根据权利要求1所述的IGBT门极驱动电路，其特征在于，所述第一放大模块包括运算放大器(AMP1)、MOSFET管(Q3)、电阻(R1)、电阻(R1)、及电阻(R3)，所述运算放大器(AMP1)的同相输入端电连接所述第一采样模块的输出端，所述运算放大器(AMP1)的反相输入端通过所述电阻(R1)电连接于电源(VCC1)，所述运算放大器(AMP1)的反相输入端还通过所述电阻(R2)电连接于所述MOSFET管(Q3)的漏极，所述MOSFET管(Q3)的源极电连接于所述电源(VCC1)，所述MOSFET管(Q3)的栅极与所述控制信号端电连接，所述运算放大器(AMP1)的反相输入端还通过所述电阻(R3)与所述运算放大器(AMP1)的输出端电连接，所述运算放大器(AMP1)的输出端与所述开通MOSFET管(Q1)的栅极电连接。
3.根据权利要求2所述的IGBT门极驱动电路，其特征在于，所述电阻(R1)的阻值大于所述电阻(R3)的阻值，所述电阻(R3)的阻值大于所述电阻(R2)的阻值。
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