[实用新型]一种IGBT门极驱动电路

说明书

本申请公开了一种IGBT门极驱动电路，所述电路通过第一采样模块将IGBT开通时的门极电流转换输出为对应的第一电压信号，通过第一放大模块提供不同的放大比例系数，以对所述第一电压信号进行放大并输出第一控制信号，所述第一控制信号用于控制所述开通MOSFET管的导通状态；又通过第二采样模块将IGBT关断时的门极电流转换输出为对应的第二电压信号，通过第二放大模块提供不同的放大比例系数，以对所述第二电压信号进行放大并输出第二控制信号，所述第二控制信号用于控制所述关断MOSFET管的导通状态。如此，IGBT开通或关断时的门极电流将被精确地控制在所需要的范围内。本申请的电路结构简单，能节约PCB板占用面积，降低开发成本。

技术领域

本申请涉及半导体驱动电路技术领域，尤其涉及一种IGBT门极驱动电路。

背景技术

在IGBT的应用中，为了减小开通时电流di/dt或者关断时电压dv/dt对系统的影响，通常会采用多级开关的控制策略来驱动IGBT的门极，如图1所示，通过控制图1中MOSFET管的开通与关断，使不同阻值的电阻组合为门极充电，即可控制IGBT门极电压的变化速率，进而控制门极电流的变化速率。

然而这种驱动方法的本质是遵循RC充电原理，开关过程中门极电流不可控，且在MOSFET管开关过程中门极会出现振荡，甚至会影响到IGBT的集电极电流与集射极电压波形；另外，电路设计上依据需求要设置多个开关通路，使用的MOSFET管、电阻与相应的控制电路数量众多，一定程度上占用更多的PCB面积。

实用新型内容

鉴于此，有必要提供一种IGBT门极驱动电路，能够精确控制门极电流，且节约PCB板占用面积，降低开发成本。

本申请为达上述目的所提出的技术方案如下：

一种IGBT门极驱动电路，所述电路包括控制信号端、开通MOSFET管(Q1)、关断MOSFET管(Q2)，所述开通MOSFET管(Q1)的漏极与所述关断MOSFET管(Q2)的漏极电连接，并均与IGBT的门极电连接，所述开通MOSFET管(Q1)的源极电连接正压端，所述关断MOSFET管(Q2)的源极电连接负压端，所述IGBT门极驱动电路还包括：

开关切换模块，所述开关切换模块的输入端与所述控制信号端电连接，所述开关切换模块的输出端电连接于所述开通MOSFET管(Q1)的栅极及所述关断MOSFET管(Q2)的栅极，所述开关切换模块用于根据所述PWM信号控制所述开通MOSFET管(Q1)及所述关断MOSFET管(Q2)的导通和关断；所述开通MOSFET管(Q1)和所述关断MOSFET管(Q2)中的一个处于导通状态时，另一个处于关断状态；

第一采样模块，所述第一采样模块的输入端电连接于所述开通MOSFET管(Q1)的源极，用于在所述开通MOSFET管(Q1)导通时对流经所述开通MOSFET管(Q1)的电流进行采样，并根据采样结果输出对应的第一电压信号；

第一放大模块，所述第一放大模块的第一输入端与所述第一采样模块的输出端电连接，所述第一放大模块的第二输入端电与所述控制信号端电连接，所述第一放大模块的输出端电连接于所述开通MOSFET管(Q1)的栅极，所述第一放大模块用于根据所述PWM信号调整放大比例系数，并对所述第一采样模块输出的第一电压信号进行放大，以输出对应的第一控制信号，所述第一控制信号用于控制所述开通MOSFET管(Q1)的导通状态，以控制IGBT的开通时的门极电流；

第二采样模块，所述第二采样模块的输入端电连接于所述关断MOSFET管的源极，用于在所述关断MOSFET管(Q2)导通时对流经所述关断MOSFET管(Q2)的电流进行采样，并根据采样结果输出对应的第二电压信号；