[实用新型]一种镀膜设备有效
| 申请号： | 202121545740.5 | 申请日： | 2021-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN217230943U | 公开（公告）日： | 2022-08-19 |
| 发明（设计）人： | 唐智 | 申请（专利权）人： | 纳峰真空镀膜（上海）有限公司 |
| 主分类号： | C23C28/04 | 分类号： | C23C28/04;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/32;C23C14/34;C23C14/56;C23C14/58;C23C16/02;C23C16/26;C23C16/54;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海兆丰知识产权代理事务所(有限合伙) 31241 | 代理人： | 卢艳民 |
| 地址： | 201700 上海市青浦区青*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 镀膜 设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种镀膜设备，其特征在于，包括镀膜腔体、三个离子源、两个磁控溅射源、一个多弧源和一个过滤弧源，围绕镀膜腔体的外周边设置有八个法兰口1～8，所述两个磁控溅射源分别设置在法兰口1和法兰口5，所述三个离子源分别设置在法兰口2、法兰口4和法兰口7；所述多弧源设置在法兰口3，所述过滤弧源设置在法兰口6；法兰口8为抽气口；
三个离子源中，一个离子源用于离子清洗；一个离子源用于增强等离子体沉积类金刚石膜层；一个离子源用于氧化退膜。
2.根据权利要求1所述的一种镀膜设备，其特征在于，所述氧化退膜的膜层包括类金刚石碳膜。
3.根据权利要求1所述的一种镀膜设备，其特征在于，所述离子源包括阳极层离子源、射频离子源、考夫曼离子源、霍尔离子源和高频离子源。
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