[实用新型]一种镀膜设备

说明书

本实用新型公开了一种镀膜设备，包括镀膜腔体，围绕镀膜腔体的外周边设置有多个法兰口，其中一个法兰口为抽气口，其余的法兰口中，每个法兰口上配置一个类金刚石镀膜源，所述类金刚石镀膜源包括但不限于磁控溅射源、离子源、多弧源和过滤弧源；整个镀膜设备包含至少一个离子源、和/或磁控溅射源、和/或多弧源、和/或过滤弧源。本实用新型的镀膜设备，具有多功能，包含多种类金刚石镀膜源制备类金刚石膜层，并在同一台设备中一并实现镀膜、退膜功能，实现一机多用。

技术领域

本实用新型涉及一种镀膜设备，属于真空镀膜领域。

背景技术

通常真空镀膜设备，功能配置单一，普遍配置单独的磁控溅射源(Sputtering 溅射源)，或单独的类金刚石(Diamond-like C氩气bon，DLC)源，或单独的弧源等用于沉积类金刚石膜层。缺乏具有多功能的镀膜设备，多种方法沉积类金刚石膜层以及镀膜、退膜一体的真空镀膜设备。

实用新型内容

本实用新型的目的是克服现有技术的缺陷，提供一种镀膜设备，具有多功能，包含多种类金刚石镀膜源制备类金刚石膜层，并在同一台设备中一并实现镀膜、退膜功能，实现一机多用。

实现上述目的的技术方案是：一种镀膜设备，包括镀膜腔体，围绕镀膜腔体的外周边设置有多个法兰口，其中一个法兰口为抽气口，其余的法兰口中，每个法兰口上配置一个类金刚石镀膜源，所述类金刚石镀膜源包括但不限于磁控溅射源、离子源、多弧源和过滤弧源；

整个镀膜设备包含至少一个离子源、和/或磁控溅射源、和/或多弧源、和/或过滤弧源；

所述离子源用于离子清洗，或用于增强等离子体沉积类金刚石膜层，或用于氧化退膜。

上述的一种镀膜设备，其中，所述氧化退膜的膜层包括但不限于类金刚石等碳膜。

上述的一种镀膜设备，其中，所述离子源包括但不限于阳极层离子源、射频离子源、考夫曼离子源、霍尔离子源和高频离子源。

本实用新型的镀膜设备，为多功能镀膜设备，包含多种类金刚石镀膜源制备类金刚石膜层，并在同一台设备中一并实现镀膜、退膜功能。该镀膜设备可以作为生产设备，更可以作为技术研发设备，高效沉积类金刚石膜层及碳膜等的氧化处理。为本领域技术研发提供便捷，极大提高研发效率。

附图说明

图1为本实用新型的镀膜设备的结构示意图；

图2为本实用新型的镀膜设备的使用状态图。

具体实施方式

为了使本技术领域的技术人员能更好地理解本实用新型的技术方案，下面结合附图对其具体实施方式进行详细地说明：

请参阅图1和图2，本实用新型的实施例，一种镀膜设备，包括镀膜腔体10，围绕镀膜腔体10的外周边设置有八个法兰口1～8，其中一个法兰口8为抽气口，其余的七个法兰口中，每个法兰口上配置一个类金刚石镀膜源，类金刚石镀膜源包括但不限于磁控溅射源、离子源、多弧源和过滤弧源；整个镀膜设备包含三个离子源、两个磁控溅射源(简称SPT)、一个多弧源和一个过滤弧源。两个磁控溅射源分别设置在法兰口1和法兰口5，三个离子源分别设置在法兰口2、法兰口4和法兰口 7；多弧源设置在法兰口3，过滤弧源设置在法兰口6。三个离子源中，一个离子源用于离子清洗；一个离子源用于增强等离子体沉积类金刚石膜层；一个离子源用于氧化退膜，氧化退膜的膜层包括但不限于类金刚石等碳膜。离子源包括但不限于阳极层离子源、射频离子源、考夫曼离子源、霍尔离子源和高频离子源。

本实用新型的镀膜设备，在加工时，根据需要，围绕镀膜腔体10的圆周设置的法兰口的数量可以改变，其中一个法兰口为抽气口，其余的法兰口中，每个法兰口上配置一个类金刚石镀膜源，类金刚石镀膜源的位置、数量，可根据需求调整。整个镀膜设备包含至少一个离子源、和/或磁控溅射源、和/或多弧源、和/或过滤弧源；离子源用于离子清洗，或用于增强等离子体沉积类金刚石膜层，或用于氧化退膜。