[实用新型]一种晶体生长炉的辅助装炉及校准装置有效
| 申请号： | 202121589876.6 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN215103679U | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 周世斌;林东科;吴志国 | 申请（专利权）人： | 成都东骏激光股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 黄燕 |
| 地址： | 611600 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 辅助 校准 装置 | ||
1.一种晶体生长炉的辅助装炉及校准装置，其特征在于，包括下平板和上平板；
所述下平板的板面呈环形并具有环形实体部位，所述下平板的下表面用于与坩埚周围的温场的上表面抵接；
所述上平板的下表面的至少部分区域与所述下平板的环形实体部位的上表面连接，所述上平板的下表面的未与所述下平板连接的区域用于与坩埚口抵接。
2.根据权利要求1所述的晶体生长炉的辅助装炉及校准装置，其特征在于，所述上平板的上表面和下表面以及所述下平板的上表面和下表面均为平整面。
3.根据权利要求1所述的晶体生长炉的辅助装炉及校准装置，其特征在于，所述上平板的上表面与下表面平行，所述下平板的上表面与下表面平行。
4.根据权利要求1所述的晶体生长炉的辅助装炉及校准装置，其特征在于，所述下平板的内径不小于坩埚的外径，所述下平板的外径与待校准的温场的外径相等。
5.根据权利要求1所述的晶体生长炉的辅助装炉及校准装置，其特征在于，所述下平板的厚度大于或等于坩埚口与待调节的所述温场的上表面的最大高度差。
6.根据权利要求1所述的晶体生长炉的辅助装炉及校准装置，其特征在于，所述上平板的横截面呈长方形，所述上平板具有在长度方向上相对的第一端和第二端，所述上平板沿所述下平板的径向设置，且所述第一端和所述第二端均与所述下平板连接。
7.根据权利要求1所述的晶体生长炉的辅助装炉及校准装置，其特征在于，所述上平板的宽度不小于下平板的内径的1/3。
8.根据权利要求1所述的晶体生长炉的辅助装炉及校准装置，其特征在于，所述上平板的厚度为1-100mm。
9.根据权利要求1-8任一项所述的晶体生长炉的辅助装炉及校准装置，其特征在于，所述辅助装炉及校准装置还包括垫片，所述垫片的上表面用于抵接所述上平板的下表面的对应所述下平板的中空内圆区域的部位，所述垫片的下表面用于抵接坩埚口，所述垫片的周缘用于抵接所述下平板的内圆侧壁。
10.根据权利要求9所述的晶体生长炉的辅助装炉及校准装置，其特征在于，所述垫片的宽度与所述上平板的宽度相等。
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