[实用新型]一种晶体生长炉的辅助装炉及校准装置有效
申请号: | 202121589876.6 | 申请日: | 2021-07-13 |
公开(公告)号: | CN215103679U | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 周世斌;林东科;吴志国 | 申请(专利权)人: | 成都东骏激光股份有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B35/00 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 黄燕 |
地址: | 611600 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体生长 辅助 校准 装置 | ||
本实用新型提供了一种晶体生长炉的辅助装炉及校准装置,属于晶体生长器具技术领域。该辅助装炉及校准装置包括上平板和下平板;下平板的板面呈环形并具有环形实体部位,下平板的下表面用于与坩埚周围的温场的上表面抵接;上平板的下表面的至少部分区域与下平板的环形实体部位的上表面连接,上平板的下表面的未与下平板连接的下表面用于与坩埚口抵接。该辅助装炉及校准装置能够在确保温场安装一致性和准确性的同时,大大提高装炉效率,通过一次性对坩埚周围一圈直接进行同时校准,实现了直观、快捷地装炉和校准。
技术领域
本实用新型涉及晶体生长器具技术领域,具体而言,涉及一种晶体生长炉的辅助装炉及校准装置。
背景技术
晶体生长中,温场安装质量直接决定了温场的实际效果,决定了温场中温度梯度的分布,是晶体生长核心技术实施的最关键工序。
该工序中,坩埚口附近温场安装的准确性和一致性对晶体生长尤为重要,尤其是温场和坩埚上缘的高度差。
而在研发和生产的装炉中,一方面要保证坩埚周围一圈温场安装的准确性和一致性,但现有的沿着坩埚外缘一圈以小间距多次测量调整的方法,极为繁琐,会耗费大量时间;另一方面由于装炉时靠炉膛内侧由于炉内其它设备阻挡等各种因素,往往难以正确安放钢板尺等测量工具,导致难以有效的观察和测量。
并且,当温场材料使用保温沙时,不但存在上述问题,还会因为保温沙具有流动性,在校准一处后,拨开的沙会影响周围沙面高度,导致坩埚外周围一圈的沙高度一致性较差。而且由于沙的流动性导致调整沙面平整度和调整沙与坩埚口距离的准确性往往难以兼顾。
上述问题均会导致装炉费时费力,并且还难以保证安装的一致性和准确性。
鉴于此,特提出本申请。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶体生长炉的辅助装炉及校准装置,其能够在确保温场安装一致性和准确性的同时,大大提高装炉效率,通过一次性对坩埚周围一圈直接进行同时校准,实现了直观、快捷地装炉和校准。
本实用新型可这样实现:
本实用新型提供一种晶体生长炉的辅助装炉及校准装置,包括上平板和下平板。
下平板的板面呈环形并具有环形实体部位,下平板的下表面用于与坩埚周围的温场的上表面抵接。
上平板的下表面的至少部分区域与下平板的环形实体部位的上表面连接,上平板的下表面的未与下平板连接的区域用于与垫片抵接。
在可选的实施方式中,下平板的上表面和下表面以及下平板的上表面和下表面均为平整面。
在可选的实施方式中,上平板的上表面与下表面的平面度均为0.01-0.1。
在可选的实施方式中,下平板的上表面与下表面的平面度为0.01-0.1。
在可选的实施方式中,上平板的上表面与下表面平行,下平板的上表面与下表面平行。
在可选的实施方式中,上平板的上表面与下表面的平行度为0.01-0.1。
在可选的实施方式中下平板的上表面与下表面的平行度为0.01-0.1。
在可选的实施方式中,下平板的内径与坩埚外径相等,下平板的外径与待校准的温场的外径相等。
在可选的实施方式中,下平板的厚度大于或等于坩埚口与待调节的温场的上表面的最大高度差。
在可选的实施方式中,上平板的横截面呈长方形,上平板具有在长度方向上相对的第一端和第二端,上平板沿下平板的径向设置且第一端和第二端均与下平板连接。
在可选的实施方式中,上平板的长度小于或等于下平板的外径。
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